[发明专利]用于光蚀刻法的组合物和防反射涂层

说明书

技术领域

本申请要求2011年9月21日提交的美国临时申请61/537,097的权益，将该文献的全部内容通过参考并入本申请。

本发明涉及组合物，尤其是涉及用于微电子应用的防反射涂层组合物(例如，“BARCs”)。在该微电子工业中，一直需要这样的组合物，其具有改善的对光致抗蚀剂聚合物的粘合性。

背景技术

国际公开WO 2005/056682披露了含有硅聚合物和有机聚合物的乳液组合物。该有机聚合物通过一种或者多种烯键式不饱和有机单体的自由基聚合反应形成，所述烯键式不饱和有机单体例如丙烯酸酯、丙烯酸甲酯、氟化的丙烯酸酯、氟化的甲基丙烯酸酯、丙烯酸、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸烯丙基酯、甲基丙烯酸二甲基氨基乙基酯，卤代乙烯，乙烯基酯，乙烯基芳族化合物，单羧酸的乙烯基酯，或者乙烯基吡咯烷酮。

国际公开WO 2009/095521披露了使用每倍半硅氧烷分子具有变化数量(1至12)的可聚合双键的单体将倍半硅氧烷结合到共聚物中。该线性交联的共聚物披露为具有优异的光学性质和高水平的光稳定性。

日本专利文献JP 2004-309560披露了用于光刻的防反射膜，其含有聚合物，所述聚合物具有三烷基甲硅烷基结构或者三烷氧基甲硅烷基结构，和交联剂。

日本专利文献JP 04-214385披露用于光敏性材料的填充材料的光屏蔽膜。该膜包括共混物，所述共混物由以下物质组成：(A)55-65重量份的直链，低密度PE，其具有“2.0-3.0g/10分钟”的熔体流动速率，和“0.910-0.920g/cm³”的密度；(B)35-45重量份的高密度PE，其具有“0.03-0.05g/10分钟”的熔体流动速率，和“0.940-0.956g/cm³”的密度；和(C)2-10重量份的炭黑。

日本专利文献JP 2004-354547披露了一种材料，披露为具有优异的光学特性，耐热性和可模塑性。该材料包括“梯形”聚倍半硅氧烷。

美国专利7855043披露了含硅膜，其由可热固化的组合物形成，所述组合物包括以下物质：(A-1)通过可水解的硅化合物在酸催化剂存在下水解缩合获得的含硅化合物，(A-2)通过可水解的硅化合物在碱性催化剂存在下水解缩合获得的含硅化合物，(B)锂、钠、钾、铷或铯的氢氧化物或者有机酸盐，或者锍，碘鎓或者铵化合物，(C)有机酸，和(D)有机溶剂。该含硅膜披露为容许有效地图案化叠置的光致抗蚀剂膜。

美国专利7875417披露了一种含硅膜，其由可热固化的组合物形成，所述组合物包括以下物质：(A-1)通过可水解的硅化合物在酸催化剂存在下水解缩合获得的含硅化合物，(A-2)通过可水解的硅化合物在碱催化剂存在下水解缩合获得的含硅化合物，(B)Li，Na，K，Rb或者Ce的氢氧化物或者有机酸盐，或者锍，碘鎓或者铵化合物，(C)有机酸，(D)环状醚取代的醇，和(E)有机溶剂。该含硅膜披露为确保有效的图案形成于基底上，有效地转移光致抗蚀剂图案，和精确地加工基底。

美国专利7868407披露了一种基底，其包括至少一种有机膜，在所述有机膜上的防反射有机硅树脂膜，和在所述防反射有机硅树脂膜上的光致抗蚀剂膜。所述防反射有机硅树脂膜包含下层的有机硅树脂膜和上层的有机硅树脂膜，上层的有机硅树脂膜具有比下层的有机硅树脂膜低的硅含量。

用于防反射膜和/或其它电子应用的另外的组合物披露于以下文献中：美国专利5621034，6268457，6824879，7385021，7417104，7485690和7655377；US公开2004/0253461，2005/0277756，2005/0277755，2005/0277058，2005/0274692，2005/0148380，2007/0238300，2007/0298349，2007/0298349，2007/0185298，2009/0148789，2010/0086872，2010/0285407和U.S.公开2010/0210765；EP 1845132A2；EP 1614151B1；WO 2007/148223；WO2009/088600；和Rao et al.，Molecular Composites Comprising TiO2 and Their Optical Properties，Macromolecules，2008，41，4838-4844。