[发明专利]像素结构及其制造方法

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于包括：

基板；

晶体管，配置于该基板上，且包括栅极、源极及漏极；

平坦层，配置于该栅极、该源极及该漏极的一部分上；

多个接触窗，贯穿该平坦层，且暴露出该漏极的另一部分；以及

像素电极层，配置于该平坦层上、所述接触窗中及该漏极的该另一部分上，且电性连接至该漏极。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于其中所述的像素电极层的材质为金属或透明导电材料。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于其中所述的平坦层的材料为有机材料。

4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于至少部分所述接触窗位于该漏极的角落。

5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于其中所述的栅极配置于该基板上，且该晶体管更包括：

绝缘层，配置于该栅极上；以及

半导体层，配置于该绝缘层上，其中该源极连接至该半导体层的一端，且该漏极连接至该半导体层的另一端。

6.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于其中所述的漏极的材质为金属。

7.一种像素结构的制造方法，其特征在于包括：

提供基板；

在该基板上形成晶体管，其中该晶体管包括栅极、源极及漏极；

在该基板上形成平坦层，以覆盖该晶体管；

形成多个贯穿该平坦层的接触窗，并使该接触窗暴露出该漏极的一部分；以及

在该平坦层上、该接触窗中及该漏极的该部分上形成像素电极层。

8.如权利要求7所述的像素结构的制造方法，其特征在于在该基板上形成该晶体管的步骤包括：

在该基板上形成该栅极；

在该栅极上形成绝缘层；

在该绝缘层上形成半导体层；以及

在该半导体层的相对两端上分别形成该源极与该漏极。

9.如权利要求7所述的像素结构的制作方法，其特征在于形成所述贯穿该平坦层的接触窗的步骤包括使至少部分所述接触窗位于该漏极的角落。

10.如权利要求7所述的像素结构的制作方法，其特征在于其中所述的像素电极层的材质为金属或透明导电材料。

11.如权利要求7所述的像素结构的制作方法，其特征在于其中所述的平坦层的材料为有机材料。

12.如权利要求7所述的像素结构的制作方法，其特征在于其中所述的漏极的材质为金属。