[发明专利]像素结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种像素结构及其制造方法，特别是有关于一种包括多个接触窗的像素结构及其制造方法。

背景技术

在像素结构的工艺中，会在具有隔离作用的绝缘层形成接触窗（Contact Window），借以连接上下两层导电层。例如像素结构中，会在绝缘的平坦层上制作一个接触窗以曝露出漏极的一部分，使像素电极能与此部分的漏极作电性连接。

在现有习知的像素结构工艺中，在形成接触窗后，为增加覆盖在平坦层上的像素电极与平坦层之间的附着力，会先对平坦层采用表面等离子体处理，再将像素电极覆盖在平坦层上。然而,此种做法需要多一道工艺，且有可能会导致良率损失或是产能下降。因此，如何改良现有习知像素结构的工艺与结构使其像素电极与平坦层之间能附着良好，是像素结构工艺中值得讨论的问题。

由此可见，上述现有的像素结构工艺在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。因此如何能创设一种新型结构的像素结构及其制造方法，亦成为当前业界极需改进的目标。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有的像素结构工艺存在的缺陷，而提供一种新型结构的像素结构及其制造方法，所要解决的技术问题是使其可解决其像素电极与平坦层间附着不佳的问题。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种像素结构，其中包括：基板；晶体管，配置于该基板上，且包括栅极、源极及漏极；平坦层，配置于该栅极、该源极及该漏极的一部分上；多个接触窗,贯穿该平坦层，且暴露出该漏极的另一部分；以及像素电极层，配置于该平坦层上、所述接触窗中及该漏极的该另一部分上，且电性连接至该漏极。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的像素结构，其中所述的像素电极层的材质为金属或透明导电材料。

前述的像素结构，其中所述的平坦层的材料为有机材料。

前述的像素结构，其特征在于至少部分所述接触窗位于该漏极的角落。

前述的像素结构，其中所述的栅极配置于该基板上，且该晶体管更包括：绝缘层，配置于该栅极上；以及半导体层，配置于该绝缘层上，其中该源极连接至该半导体层的一端，且该漏极连接至该半导体层的另一端。

前述的像素结构，其中所述的漏极的材质为金属。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种像素结构的制造方法，其中包括：提供基板；在该基板上形成晶体管，其中该晶体管包括栅极、源极及漏极；在该基板上形成平坦层，以覆盖该晶体管；形成多个贯穿该平坦层的接触窗，并使该接触窗暴露出该漏极的一部分；以及在该平坦层上、该接触窗中及该漏极的该部分上形成像素电极层。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的像素结构的制造方法，其特征在于在该基板上形成该晶体管的步骤包括：在该基板上形成该栅极；在该栅极上形成绝缘层；在该绝缘层上形成半导体层；以及在该半导体层的相对两端上分别形成该源极与该漏极。

前述的像素结构的制作方法，其特征在于形成所述贯穿该平坦层的接触窗的步骤包括使至少部分所述接触窗位于该漏极的角落。

前述的像素结构的制作方法，其中所述的像素电极层的材质为金属或透明导电材料。

前述的像素结构的制作方法，其中所述的平坦层的材料为有机材料。

前述的像素结构的制作方法，其中所述的漏极的材质为金属。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知,本发明的主要技术内容如下：一种像素结构包括基板、晶体管、平坦层、多个接触窗以及像素电极层。晶体管配置于基板上且包括栅极、源极及漏极。平坦层配置于栅极、源极及漏极的一部分上。多个接触窗贯穿平坦层，且暴露出漏极的另一部分。像素电极层，配置于平坦层上、接触窗中及漏极的另一部分上，且电性连接至漏极。本发明提出一种像素结构的制造方法，包括下列步骤。首先,提供基板。接着在基板上形成晶体管，其中晶体管包括栅极、源极及漏极。再来，在基板上形成平坦层，以覆盖晶体管。之后，形成多个贯穿平坦层的接触窗，并使接触窗暴露出漏极的一部分。在平坦层上、接触窗中及漏极的一部分上形成像素电极层。