[发明专利]降低线条粗糙度的混合光刻方法有效
| 申请号： | 201210357244.6 | 申请日： | 2012-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103676493A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 孟令款;李春龙;贺晓彬;李俊峰;闫江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 线条 粗糙 混合 光刻 方法 | ||
1.一种降低线条粗糙度的混合光刻方法，包括：
在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模层；
执行第一光刻/刻蚀，在第一硬掩模层上形成第一光刻胶图形，刻蚀第一硬掩模层，形成第一硬掩模图形；
在第一硬掩模图形上形成第二硬掩模层；
执行第二光刻/刻蚀，在第二硬掩模层上形成第二光刻胶图形，刻蚀第二硬掩模层，形成第二硬掩模图形；
继续刻蚀第二硬掩模层和第一硬掩模层，形成第三硬掩模图形；
以第三硬掩模图形为掩模，刻蚀结构材料层，形成所需要的线条。
2.如权利要求1所述的方法，其中，第一硬掩模层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅及其组合。
3.如权利要求2所述的方法，其中，第一硬掩模层为氧化硅与氮化硅的叠层结构。
4.如权利要求1所述的方法，其中，第二硬掩模层包括多晶硅、非晶硅、微晶硅、非晶碳、非晶锗、SiC、SiGe、类金刚石无定形碳及其组合。
5.如权利要求1所述的方法，其中，第一硬掩模层和/或第二硬掩模层和/或结构材料层的刻蚀采用等离子体干法刻蚀技术。
6.如权利要求5所述的方法，其中，等离子体干法刻蚀采用CCP或ICP或TCP设备。
7.如权利要求5所述的方法，其中，刻蚀之后还包括干法去胶和/或湿法腐蚀清洗。
8.如权利要求7所述的方法，其中，湿法腐蚀清洗采用SPM+APM。
9.如权利要求1所述的方法，其中，结构材料层为假栅电极层、金属栅电极层、局部互连层中的一种。
10.如权利要求1所述的方法，其中，第一和/或第二硬掩模层采用LPCVD、PECVD、HDPCVD、MBE、ALD方法制备。
11.如权利要求1所述的方法，第一光刻与第二光刻其中之一为普通光学曝光技术，另一个为电子束曝光技术。
12.如权利要求11所述的方法，其中，普通光学曝光技术包括i线365nm曝光、DUV248nm曝光，电子束曝光用于制备图形尺寸为22nm及以下节点的线条。
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