[发明专利]测试探针对准控制的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在晶圆测试系统接收包括多个对准焊盘的晶圆；

在所述晶圆测试系统接收包括多个探测点的探针卡；

接收历史偏差校正；

基于所述历史偏差校正确定所述探针卡相对于所述晶圆的方位值；以及

使用所述方位值将所述探针卡对准至所述晶圆，其中所述对准是试图使所述多个探测点中的第一探测点与所述多个对准焊盘中的第一对准焊盘接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，基于所述晶圆、与所述晶圆相关的设计、所述探针卡和所述晶圆测试系统中的至少一个的特征进一步确定所述方位值。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方位值的确定包括多元回归模型分析、多元方差分析和偏最小二乘回归分析中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

评价所述第一探测点和所述第一对准焊盘的连接性；以及

当确定所述第一探测点和所述第一对准焊盘连接时：

利用对准的所述探针卡实施所述晶圆的电测试；以及

基于所述方位值更新所述历史偏差校正。

5.一种方法，包括：

确定影响在半导体晶圆上设置的对准焊盘的位置的半导体晶圆特征；

确定影响在探针卡上设置的探测点的位置的探针卡特征；

接收用于对准所述对准焊盘和所述探测点的长期基准因子；

基于所述半导体晶圆特征、所述探针卡特征和所述长期基准因子确定用于定位所述探测点和所述对准焊盘的对准因子；

使所述探针卡和所述半导体晶圆在由所述对准因子确定的方向上接触；

然后使用接触的所述探针卡实施所述半导体晶圆的电测试；以及

基于所述对准因子更新所述长期基准因子。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

在使所述探针卡和所述半导体晶圆接触后，评价所述探测点和所述对准焊盘的连接性；以及

当从所述连接性的评价中确定所述探测点没有与所述对准焊盘连接时：

修改所述对准因子；

从所述半导体晶圆分离所述探针卡；以及

然后使用经过修改的对准因子使所述探针卡和所述半导体晶圆接触。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述连接性的评价包括检测所述对准焊盘的可识别的电特征。

8.一种晶圆，包括：

衬底；

一个或多个管芯，设置在所述衬底上；

保留区，设置在所述衬底上并位于所述一个或多个管芯的外面；以及

对准结构，设置在所述衬底上并且包括一个或多个对准焊盘，所述对准结构被配置以将所述晶圆对准至探针。

9.根据权利要求8所述的晶圆，其中，所述一个或多个对准焊盘中的每一个都具有可识别的电特征。

10.根据权利要求9所述的晶圆，其中，所述可识别的电特征是与所述一个或多个对准焊盘中的另一个的低电阻电连接。