[发明专利]low-k芯片的封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210362067.0 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103681605A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 王冬江;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | low 芯片 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种low-k芯片的封装结构，其特征在于，包括：
衬底；
在所述衬底上的经过FEOL阶段所形成的芯片；
在所述芯片上的经过BEOL阶段所形成的金属层；所述金属层包括相互电连接的至少1个通孔和至少1根连接线，以及填充在所述通孔和连接线周围的超低介电常数材料的介质层；所述金属层中的最底层通孔通过所述芯片的接触孔与所述芯片电连接；所述介质层中的最顶层介质层将位于金属层中的最顶层连接线覆盖；
由位于金属层中的最顶层连接线到所述衬底底部，并穿通所述衬底的TSV孔；
位于所述金属层的最顶层介质层上的焊盘，所述焊盘通过金属线与所述TSV孔位于所述衬底底部的一端电连接。
2.根据权利要求1所述的low-k芯片的封装结构，其特征在于：所述芯片包括在FEOL阶段形成的各种半导体器件。
3.根据权利要求1所述的low-k芯片的封装结构，其特征在于：所述TSV孔的材料为Al、Cu、W或者他们的合金。
4.一种low-k芯片封装结构的制造方法，包括：
提供衬底并在所述衬底上采用FEOL工艺以形成芯片；
在所述芯片上采用BEOL工艺以形成金属层，所述金属层包括相互电连接的至少1个通孔和至少1根连接线，以及填充在所述通孔和连接线周围的超低介电常数材料的介质层，所述金属层中的最底层通孔通过所述芯片的接触孔与所述芯片电连接，所述介质层中的最顶层介质层将位于金属层中的最顶层连接线覆盖；
在所述金属层的最顶层介质层上形成焊盘；以及
形成TSV孔，所述TSV孔由位于金属层中的最顶层连接线到所述衬底底部并穿通所述衬底。
5.根据权利要求4所述的low-k芯片封装结构的制造方法，其特征在于：
所述形成TSV孔的步骤在所述FEOL工艺过程之前进行。
6.根据权利要求4所述的low-k芯片封装结构的制造方法，其特征在于：
所述形成TSV孔的步骤在所述FEOL工艺过程中进行。
7.根据权利要求4所述的low-k芯片封装结构的制造方法，其特征在于：
所述形成TSV孔的步骤在所述FEOL工艺过程之后、所述BEOL工艺过程之前进行。
8.根据权利要求4所述的low-k芯片封装结构的制造方法，其特征在于：
所述形成TSV孔的步骤在所述BEOL工艺过程中进行。
9.根据权利要求4所述的low-k芯片封装结构的制造方法，其特征在于：
所述形成TSV孔的步骤在所述BEOL工艺过程之后进行。
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