[发明专利]一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板的制造方法。

背景技术

传统的CRT显示器依靠阴极射线管发射电子撞击屏幕上的磷光粉来显示图像，但液晶显示的原理则完全不同。通常，液晶显示（LCD）装置具有上基板和下基板，彼此有一定间隔和互相正对。形成在两个基板上的多个电极相互正对。液晶夹在上基板和下基板之间。电压通过基板上的电极施加到液晶上，然后根据所作用的电压改变液晶分子的排列从而显示图像、因为如上所述液晶显示装置不发射光，它需要光源来显示图像。因此，液晶显示装置具有位于液晶面板后面的背光源。根据液晶分子的排列控制从背光源入射的光量从而显示图像。如图1所示，上层偏光片101和下层偏光片109之间夹有彩膜基板104、共通电极105、液晶层106和阵列基板107，液晶分子是具有折射率及介电常数各向异性的物质。在阵列基板107上形成像素电极108、薄膜晶体管（TFT）114、阵列子像素111、扫描线110、信号线112等。信号线112连接到TFT的漏极，像素电极108连接到源级，扫描线110连接到栅极。背光源113发出的光线经过下偏光片109，成为具有一定偏振方向的偏振光。薄膜晶体管114控制像素电极108之间所加电压，而该电压作用于液晶来控制偏振光的偏振方向，偏振光透过相应的彩膜102后形成单色偏振光，如果偏振光能够穿透上层偏光片101，则显示出相应的颜色；电场强度不同，液晶分子的偏转角度也不同，透过的光强不一样，显示的亮度也不同。通过红绿蓝三种颜色的不同光强的组合来显示五颜六色的图像。

近年来随着液晶显示器尺寸的不断增大，驱动电路的频率不断提高，现有的非晶硅薄膜晶体管迁移率很难满足要求。高迁移率的薄膜晶体管有多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，其中多晶硅薄膜晶体管虽然研究较早，但是其均一性差，制作工艺复杂；金属氧化物薄膜晶体管相比于多晶硅薄膜晶体管的优点在于：氧化物材料的迁移率高。所以不需要采用晶化技术，节省工艺步骤，提高了均匀率和合格率；工艺简单，采用传统的溅射和湿刻工艺就可以，不需要采用等离子增强化学气相沉积和干刻技术。另外，目前的激光晶化技术还达不到大尺寸面板的要求，而氧化物晶体管因为不需要激光晶化，则没有尺寸的限制。由于这几方面的优势，金属氧化物薄膜晶体管备受人们关注，成为近几年研究的热点。

发明内容

本发明的目的在于提供一种提高TFT驱动能力和简化工艺的金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板及其制造方法。

本发明提供一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板，包括：扫描线；信号线，与扫描线纵横交叉，所述信号线包括第一信号线、相邻像素单元的第二信号线和位于第一信号线和第二信号线之间的信号线连接线；像素单元，由扫描线和信号线交叉限定，所述每个像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括与扫描线电性连接的TFT栅极、与信号线连接线电性连接的TFT源极、以及与像素电极电性连接的TFT漏极，所述TFT源极、TFT漏极及像素电极位于底层；栅格状共通电极，位于顶层；第一绝缘层，覆盖在TFT源极、TFT漏极和像素电极之上；共通电极线，与所述栅格状共通电极线电性连接；第二绝缘层，覆盖在信号线、扫描线和共通电极线之上。

本发明又提供一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板，包括：扫描线，位于顶层；信号线，与扫描线纵横交叉，所述信号线包括第一信号线、相邻像素单元的第二信号线和位于第一信号线和第二信号线之间的信号线连接线；像素单元，由扫描线和信号线交叉限定，所述每个像素单元包括薄膜晶体管和栅格状像素电极，所述薄膜晶体管包括与扫描线电性连接的TFT栅极、与信号线连接线电性连接的TFT源极、以及与像素电极电性连接的TFT漏极；共通电极，位于底层；第一绝缘层，覆盖在共通电极之上；共通电极线，位于顶层与所述共通电极线电性连接；第二绝缘层，覆盖在信号线连接线、TFT源极、TFT漏极以及栅格状像素电极之上。

本发明又提供一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板的制造方法，包括如下步骤：

第一步：基板上形成底层金属氧化物层，具体形成：像素电极图案、源漏极连接线图案、以及信号线连接线图案；

第二步：在源漏极连接线之间形成保护层图案，然后利用离子注入方式让保护层以外的金属氧化物成为具有导体特性的透明电极；

第三步：在形成第二步图案的基础形成第一绝缘层图案，并在信号线连接的两端形成第一接触孔和第二接触孔；

第四步：在第一绝缘层图案上以金属形成信号线、扫描线、共通电极线、以及TFT栅极图案；