[发明专利]衬底承载装置无效
申请号: | 201210365726.6 | 申请日: | 2012-09-27 |
公开(公告)号: | CN102856240A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 黄颖泉;乔徽;梁秉文;陈勇 | 申请(专利权)人: | 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/683 |
代理公司: | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人: | 孙东风;王锋 |
地址: | 314300 浙江省嘉兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 承载 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种LED、光伏电池等半导体器件的生产设备,尤其涉及一种应用于半导体器件生产工艺中的衬底承载装置。
背景技术
在LED、光伏电池等半导体器件的制程中,通常需要将衬底置于MOCVD等设备内的石墨盘等衬底承载器中,继而在旋转衬底承载器的同时,对衬底进行加热,进而在衬底上沉积形成选定的半导体材料层。传统半导体器件制程中,衬底被放置在石墨盘上的定位槽中,定位槽的形状为圆形,当石墨盘转动时,衬底在圆形定位槽内也会转动,使得衬底相对石墨盘的位置是随机。然而,在现有半导体器件制程中一般希望衬底相对石墨盘的位置固定;现有技术的衬底通常具有定位平边,因此,现有技术中采用了定位槽的形状为与衬底的形状对应的形状,但在半导体器件制程中,衬底会随着石墨盘的旋转而在定位糟中转动,而容易造成衬底,尤其是硬度较大的衬底,来回撞击定位槽槽壁而破裂;且所述破裂主要出现在衬底定位平边的端部。
发明内容
本发明的目的在于提供一种衬底承载装置,以克服现有技术中的不足。
为实现上述发明目的,本发明采用了如下技术方案:
一种衬底承载装置,包括可旋转的衬底承载器,所述衬底承载器表面设有用于容置衬底的定位槽,且至少一个所述定位槽槽壁包括与衬底的定位平边配合的平边结构,其中,所述定位槽内还设有用于防止衬底定位平边的两端部与定位槽槽壁触碰的定位缓冲机构。
作为优选方案之一,所述定位缓冲机构包括分布于平边结构两端的槽。
作为优选方案之一,所述槽为形成于槽壁上内凹的弧形槽。
作为优选方案之一,所述定位缓冲机构包括嵌设于平边结构两端的缓冲元件。
作为优选方案之一,所述缓冲元件包括由弹性材料形成的缓冲件。
作为优选方案之一,所述缓冲元件包括弹簧缓冲片。
作为优选方案之一,所述平边结构与衬底承载器的旋转方向的切线垂直。
作为优选方案之一,所述平边结构设置于所述定位槽朝向所述衬底承载器旋转方向一侧。
与现有技术相比,本发明至少具有如下有益效果:
在工作过程中,由于所述定位槽内设有用于防止衬底定位平边的两端部与定位槽槽壁触碰的定位缓冲机构,无论衬底承载器是在常速旋转,或是在加速、减速过程中,衬底定位平边的两端与定位槽槽壁几乎不会发生点接触,从而可有效防止衬底破裂。尤其是通过将定位槽按照所述平边结构与衬底承载器的旋转方向垂直的方式放置,更可使得撞击行为主要发生在整个衬底定位平边与定位槽的平边结构之间,从而可更为有效的防止衬底破裂。本发明可被广泛应用于MOCVD等半导体器件生产设备中。
附图说明
图1是本发明一较佳实施例中衬底承载器的结构示意图;
图2是本发明一较佳实施例中定位槽的结构示意图;
附图标记说明:石墨盘10、衬底20、定位槽30、定位缓冲机构40。
具体实施方式
如前所述,在现有技术中衬底在工作过程中往往会因与定位槽的碰撞而受损或破裂,而本案发明人经长期实践后发现,碰撞主要发生在衬底定位平边的两端,其原因在于,定位槽的平边阻碍了衬底的转动,使得衬底定位平边的两端与定位槽壁发生碰撞,又因为衬底定位平边两端的应力比较为集中,所以发生碰撞后容易破裂。
有鉴于此,本案发明人经审慎之研究,提出了本发明的技术方案,其大致如下:
定位槽的形状与衬底的形状对应,则所述定位槽槽壁包括与衬底的衬底定位平边配合的平边结构,且在定位槽中处设置定位缓冲机构,藉以使得衬底定位平边的两端不与定位槽槽壁碰触,从而避免衬底定位平边的两端与定位侧壁发生碰撞,减少破损的发生,从而提高产品的良率,并降低生产成本。
参阅图1-图2所示系本发明的一较佳实施例,该较佳实施例中所采用的衬底承载器系石墨盘10,而在石墨盘10表面可以设置有多个用于容置衬底20的定位槽30,定位槽30具有与衬底定位平边配合的平边结构。
又及,在本实施例中,所采用的定位缓冲机构40可以是对称分布于定位槽30平边结构两端部的定位槽;所述分布于定位槽30平边结构两端部的定位槽使得所述衬底20的定位平边两端不能与所述定位槽30的槽壁接触,从而防止所述衬底20的定位平边两端的碰撞损伤;优选的,所述定位槽为形成于槽壁上内凹的弧形、三角形或矩形等的槽。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造