[发明专利]动态记忆体结构

权利要求书

1.一种动态记忆体结构，其特征在于，包含：

一基材；

位于该基材上并沿着一第一方向延伸的一第一条状半导体材料；

位于该基材上并沿着一第二方向延伸的一断开栅极，其包含独立的一第一区块以及一第二区块，而将该第一条状半导体材料分成一第一源极端、一第一漏极端及一第一通道区；

一第一介电层，至少部分夹置于该断开栅极与该基材之间；

一第一栅极介电层，至少部分夹置于该断开栅极与该第一条状半导体材料之间；以及

一第一电容单元，与该第一源极端电连接。

2.根据权利要求1的动态记忆体结构，其特征在于，该基材为一导电性硅基材、一绝缘性硅基材或其组合。

3.根据权利要求1的动态记忆体结构，其特征在于，该第一方向与该第二方向垂直。

4.根据权利要求1的动态记忆体结构，其特征在于，该第一方向与该第二方向互相交错不垂直。

5.根据权利要求1的动态记忆体结构，其特征在于，该第一电容单元位于该基材上，并包含作为一下电极的该第一源极端、至少部分覆盖该第一源极端并作为一电容介电层的一第二介电层、以及至少部分覆盖该第二介电层而作为一上电极的一电容金属层。

6.根据权利要求5的动态记忆体结构，其特征在于，该第一介电层与该第二介电层为相同与不同的一高介电常数材料的其中一者。

7.根据权利要求5的动态记忆体结构，其特征在于，该第二介电层覆盖该第一源极端最多达五面。

8.根据权利要求5的动态记忆体结构，其特征在于，该电容金属层完全覆盖该第一源极端。

9.根据权利要求1的动态记忆体结构，其特征在于，该第一区块以及该第二区块的其中一者为一驱动栅极（drive gate），而另一者为一背驱栅极（back gate）。

10.根据权利要求9的动态记忆体结构，其特征在于，还包含：

一字符线，与该驱动栅极电连接。

11.根据权利要求9的动态记忆体结构，其特征在于，还包含：

一背驱线，与该背驱栅极电连接。

12.根据权利要求1的动态记忆体结构，其特征在于，该第一条状半导体材料高于该第一区块以及该第二区块其中的至少一者。

13.根据权利要求1的动态记忆体结构，其特征在于，该第一区块以及该第二区块其中的至少一者高于该第一条状半导体材料。

14.根据权利要求1的动态记忆体结构，其特征在于，该栅极包含一金属。

15.根据权利要求1的动态记忆体结构，其特征在于，该第一条状半导体材料、该第一源极端与该第一漏极端为一体成形。

16.根据权利要求1的动态记忆体结构，其特征在于，还包含：

一位元线，与该第一漏极端电连接。

17.根据权利要求1的动态记忆体结构，其特征在于，还包含：

位于该基材上并沿着该第一方向延伸的一第二条状半导体材料，其中该断开栅极还包含一第三区块，使得该第二区块以及该第三区块一起将该第二条状半导体材料分成一第二源极端、一第二漏极端及一第二通道区；

一第二栅极介电层，至少部分夹置于该断开栅极与该第二条状半导体材料之间；以及

一第二电容单元，与该第二源极端电连接。

18.根据权利要求17的动态记忆体结构，其中该第二电容单元位于该基材上，并包含作为一下电极的该第二源极端、至少部分覆盖该第二源极端并作为一第二电容介电层的一第二介电层、以及至少部分覆盖该第二介电层而作为一第二上电极的一电容金属层，其中该第一源极端与该第二源极端彼此不接触。

19.根据权利要求17的动态记忆体结构，其特征在于，该第一条状半导体材料、该第二条状半导体材料、该断开栅极、该第一电容单元与该第二电容单元一起成为一动态记忆体单元。

20.根据权利要求19的动态记忆体结构，其特征在于，该第一电容单元与该第二电容单元一起共享一电容金属层。

21.根据权利要求19的动态记忆体结构，其特征在于，该第一电容单元与该第二电容单元一起共享一背驱栅极。