[发明专利]存储阵列装置及其减小读电流的方法

权利要求书

1.一种存储阵列装置，包含多行存储阵列，其特征在于：每行存储阵列包含多个子存储阵列，每个子存储阵列之间设有开关，于每个子存储阵列的首尾分别具有一编程标志位及反相标志位，该编程标志位用于记录当前子存储阵列是否被编程，该反相标志位用于表示原始数据是否反相后被写入当前子存储阵列。

2.如权利要求1所述的存储阵列装置，其特征在于：该编程标志位为0表示当前子存储阵列被编程过，该编程标志位为1表示当前子存储阵列未被编程过。

3.如权利要求1所述的存储阵列装置，其特征在于：该反相标志位为0表示原始数据被反相过后才写入当前子存储阵列，该反相标志位为1表示原始数据写入当前子存储阵列时没有被反相。

4.一种减小存储阵列装置读电流的方法，包括如下步骤：

步骤一，于每行存储阵列的每个子存储阵列首尾分别设置一编程标志位及一反相标志位并初始化；

步骤二，编程时，根据一预定规则检验确定反相标志位，并设定该子存储阵列的编程标志位为被编程过；以及

步骤三，根据确定的反相标志位将相应的数据及该反相标志位一起写入。

5.如权利要求4所述的一种减小存储阵列装置读电流的方法，其特征在于，该方法还包括如下步骤：

当读取该存储阵列装置时，首先读取该编程标志位并判断当前子存储阵列是否被编程过；

若判断结果为当前子存储阵列未被编程过，则无需从当前子存储阵列读数据，而直接输出数据‘1’；

若判断结果为当前子存储阵列被编程过，读出该编程标志位后的数据，并对最后的反相标志位进行校验； 

若校验的结果为数据写入时被反相过，则将数据反相后再输出，若校验的结果为数据写入时没有被反相过，则直接输出数据。

6.如权利要求4所述的一种减小存储阵列装置读电流的方法，其特征在于，该预定规则为：

写入当前子存储阵列的数据是否1的个数大于或等于n/2；

若是，则令该反相标志位表示数据写入时反相，并将数据反相后连同该反相标志位一起写入；否则，则令该反相标志位表示数据写入时未反相，并将数据连同该反相标志位一起写入。

7.如权利要求5所述的一种减小存储阵列装置读电流的方法，其特征在于：若写入当前子存储阵列的数据是否1的个数大于或等于n/2，则令该反相标志位为0，否则为1。

8.如权利要求4所述的一种减小存储阵列装置读电流的方法，其特征在于：于步骤二中，将该编程标志位设定为0。