[发明专利]存储阵列装置及其减小读电流的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种存储阵列装置及其减小读电流的方法，特别是涉及一种电可操除可编程只读存储器及其减小读电流的方法。

背景技术

随着技术的发展，微处理器的速度以每年60％的速度激增，但主存的速度仅以每年10％的速度增加，两者的差异越来越大，因此存储器的速度成为限制微处理器及存储器等系统性能的重要速度。

存储器一般由存储阵列结构组成，存储阵列结构由一个或多个存储阵列(Array)组成，Array由多个排列整齐的存储单元组成。图1为现有技术一种存储器之存储阵列结构的示意图。如图1所示，该存储器的存储阵列结构包含多行存储阵列(row0～rowm)，每行的存储阵列包含两个子存储阵列：第一子存储阵列101及第二子存储阵列102，第一子存储阵列101及第二子存储阵列102之间设有开关，且每个子存储阵列由n+1个排列整齐的存储单元b0～bn组成，每个存储单元用于存储一个bit。

然而，上述的存储阵列结构却存在如下问题：当数据b0-bn被擦除后即全为1时读出电流最大，这样增加读出功耗，不利于低功耗场合应用，并可能影响存储器的速度。

发明内容

为克服上述现有技术存在的不足，本发明之目的在于提供一种存储阵列装置及其减小读电流的方法，其可以减小存储器的读出电流，减小存储器的读出功耗，利于存储速度的提高。

为达上述及其它目的，本发明提供一种存储阵列装置，包含多行存储阵列，每行存储阵列包含第一子存储阵列及第二子存储阵列，其中，于每个子存储阵列的首尾分别具有一编程标志位及反相标志位，该编程标志位用于记录当前子存储阵列是否被编程，该反相标志位用于表示原始数据是否反相后被写入当前子存储阵列。

进一步地，该编程标志位为0表示当前子存储阵列被编程过，该编程标志位为1表示当前子存储阵列未被编程过。

进一步地，该反相标志位为0表示原始数据被反相过后才写入当前子存储阵列，该反相标志位为1表示原始数据写入当前子存储阵列时没有被反相。

为达到上述及其他目的，本发明提供一种减小存储阵列装置读电流的方法，包括如下步骤：

步骤一，于每行存储阵列的每个子存储阵列首尾分别设置一编程标志位及一反相标志位并初始化；

步骤二，编程时，根据一预定规则检验确定反相标志位，并设定该子存储阵列的编程标志位为被编程过；以及

步骤三，根据确定的反相标志位将相应的数据及该反相标志位一起写入。

进一步地，该方法还包括如下步骤：

当读取该存储阵列装置时，首先读取该编程标志位并判断当前子存储阵列是否被编程过；

若判断结果为当前子存储阵列未被编程过，则无需从当前子存储阵列读数据，而直接输出数据‘1’。

若判断结果为当前子存储阵列被编程过，读出该编程标志位后的数据，并对最后的反相标志位进行校验；

若校验的结果为数据写入时被反相过，则将数据反相后再输出，若校验的结果为数据写入时没有被反相过，则直接输出数据。

进一步地，该预定规则为：

写入当前子存储阵列的数据是否1的个数大于或等于n/2；

若是，则令该反相标志位表示数据写入时反相，并将数据反相后连同该反相标志位一起写入；否则，则令该反相标志位表示数据写入时未反相，并将数据连同该反相标志位一起写入。

进一步地，若写入当前子存储阵列的数据是否1的个数大于或等于n/2，则令该反相标志位为0，否则为1。

进一步地，于步骤二中，将该编程标志位设定为0。

与现有技术相比，本发明一种存储阵列装置及其减小读电流的方法，通过于每个子存储阵列的首尾设置编程标志位及反相标志位，于编程时设定标志位，并于读取数据时根据相应的标志位进行相应处理，其可以达到减小存储器的读出电流、降低存储器的读出功耗的目的，有利于存储速度的提高。

附图说明

图1为现有技术一种存储器之存储阵列结构的示意图；

图2为本发明之存储阵列装置之较佳实施例中某行存储阵列的结构示意图；

图3为本发明一种减小存储器读电流的方法之步骤流程图。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例并结合附图说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明亦可通过其它不同的具体实例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用，在不背离本发明的精神下进行各种修饰与变更。