[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

第2导电型的外延层，在第1导电型的半导体衬底上堆积；

第2导电型的第1嵌入层，在与所述半导体衬底和所述外延层之间形成；

第1导电型的第2嵌入层，与所述第1嵌入层的周边区域连接且从所述半导体衬底内向所述外延层内延伸；

第1导电型的引出层，从所述外延层的表面向所述外延层内延伸并且与所述第2嵌入层成为一体；

第2导电型的第1扩散层，从由所述第2嵌入层、所述引出层和所述第1嵌入层包围的所述外延层的表面向其内部延伸而形成；

第1导电型的第2扩散层，与所述第1扩散层连接并且围绕该第1扩散层而形成；以及

与所述第1扩散层以及所述第2扩散层连接的阴极电极和与所述引出层连接的阳极电极，

所述半导体装置具有：

ESD保护元件，通过由所述第1嵌入层和所述第2嵌入层形成的PN结二极管、由所述第2扩散层和所述外延层和所述引出层形成的寄生双极型晶体管所构成。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述寄生双极型晶体管中，所述第2扩散层成为发射极，所述外延层成为基极，所述引出层成为集电极。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述PN结二极管中，所述第1嵌入层的杂质浓度至少在与所述第2嵌入层相邻的区域中高于所述外延层的杂质浓度且低于所述第2嵌入层的杂质浓度。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述阴极电极与电源线连接，所述阳极电极与接地线连接。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2扩散层和所述第1扩散层在所述外延层的内部中的深度为相同程度。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2扩散层在所述外延层内延伸至与所述引出层相同程度的深度。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1嵌入层的杂质浓度在决定所述PN结二极管的耐压的所述第2嵌入层近旁以外的区域中，与该嵌入层近旁相比为高浓度。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述ESD保护元件以棋盘形状并列地形成了多个。

9.一种半导体装置，其特征在于，包括：

第2导电型的外延层，在第1导电型的半导体衬底上堆积；

第2导电型的第1嵌入层，在与所述半导体衬底和所述外延层之间形成；

第1导电型的第2嵌入层，与所述第1嵌入层的周边区域连接且从所述半导体衬底内向所述外延层内延伸；

第1导电型的引出层，从所述外延层的表面向所述外延层内延伸并且与所述第2嵌入层成为一体；

第2导电型的第1扩散层，从由所述第2嵌入层、所述引出层和所述第1嵌入层包围的所述外延层的表面向其内部延伸而形成；

第1导电型的第2扩散层，与所述第1扩散层连接并且围绕该第1扩散层而形成，并且与该第1扩散层相比延伸至所述外延层内的深的区域；以及

与所述第1扩散层以及所述第2扩散层连接的阴极电极和与所述引出层连接的阳极电极，

所述半导体装置具有：

ESD保护元件，通过由所述第1嵌入层和所述第2嵌入层形成的PN结二极管、由所述第2扩散层和所述外延层和所述引出层以及所述第2嵌入层形成的寄生双极型晶体管所构成。

10.一种半导体装置，其特征在于，包括：

第2导电型的外延层，在第1导电型的半导体衬底上堆积；

第2导电型的第1嵌入层，在与所述半导体衬底和所述外延层之间形成；

第1导电型的第2嵌入层，与所述第1嵌入层的周边区域连接且从所述半导体衬底内向所述外延层内延伸；

第1导电型的引出层，从所述外延层的表面向所述外延层内延伸并且与所述第2嵌入层成为一体；

第1导电型的第2扩散层，从由所述第2嵌入层、所述引出层和所述第1嵌入层包围的所述外延层的表面向其内部延伸而形成；

第2导电型的第1扩散层，与所述第2扩散层连接并且围绕该第2扩散层而形成，并且与该第2扩散层相比在所述外延层内的浅的区域中形成；以及

与所述第1扩散层以及所述第2扩散层连接的阴极电极和与所述引出层连接的阳极电极，

所述半导体装置具有：

ESD保护元件，通过由所述第1嵌入层和所述第2嵌入层形成的PN结二极管、由所述第2扩散层和所述外延层和所述引出层以及所述第2嵌入层形成的寄生双极型晶体管所构成。