[发明专利]异物检查装置及半导体制造装置有效
申请号: | 201210370069.4 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN103035552A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 加贺正之 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/50 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 周春燕;陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 异物 检查 装置 半导体 制造 | ||
技术领域
本发明的实施方式涉及异物检查装置及半导体制造装置。
背景技术
近年来,作为便携电话机和/或个人计算机等电子设备的存储装置,大多使用NAND型闪存等非易失性半导体存储装置,结果,电子设备得以推进小型轻量化。此外,应对由这些电子设备进行处理的信息量的增多,还推进了非易失性半导体存储装置的大容量化。作为在这样的电子设备中使用的非易失性半导体存储装置,能够例示存储卡(半导体存储卡)。
例如,虽然为了实现小型化的存储卡,存储器芯片和/或控制器芯片等半导体芯片层叠搭载于布线基板上,但是为了实现存储卡的进一步大容量化,存储器芯片自身也多层地层叠于布线基板上。
此时,因为存储卡的厚度(外形尺寸)确定,所以为了实现大容量化,必须使各个存储器芯片的厚度变薄,例如使用50μm以下的厚度的芯片。
在对存储器芯片进行层叠时,若在作为基底的布线基板和/或存储器芯片的上表面存在异物,则在使载于其上的存储器芯片相对于基底接触、按压时,存储器芯片有可能以异物为起点碎裂。
以往,虽然提出有对存储器芯片内的功能模块不正常工作的缺陷区域进行检查并基于此使存储器芯片层叠的方案,但是并未提出在基底上存在异物的情况下的芯片的层叠方法。
发明内容
根据一实施方式,提供检查包括布线基板或层叠有芯片的布线基板的检查对象的上表面的异物的有无的异物检查装置。所述异物检查装置具备:检测头,其检测存在于所述检查对象的上表面的异物的存在与否;以及控制单元,其使所述检测头在所述检查对象上移动而进行异物检测处理,根据检查数据提取异物存在区域,所述检查数据从所述检测头取得且表示所述检查对象的上表面的状态。
根据一实施方式,能够提供防止层叠的芯片由于存在于作为基底的布线基板和/或芯片的上表面的异物而碎裂的异物检查装置及半导体制造装置。
附图说明
图1是示意性地表示具备第1实施方式涉及的异物检查装置的半导体制造系统的结构的图。
图2是示意性地表示第1实施方式涉及的异物检查装置的结构的图。
图3是表示基底数据的一例的图。
图4是表示第1实施方式涉及的异物检测处理的步骤的一例的流程图。
图5是示意性地表示第1实施方式涉及的半导体制造系统中的芯片层叠处理的状况的图。
图6是示意性地表示在布线基板的异物检测处理的状况的图。
图7是示意性地表示在芯片的异物检测处理的状况的图。
图8是示意性地表示在芯片的异物检测处理的状况的图。
图9是表示第2实施方式涉及的异物检测处理的步骤的一例的流程图。
图10是示意性地表示第2实施方式涉及的半导体制造系统中的芯片层叠处理的状况的图。
图11是表示第3实施方式涉及的异物检测处理的步骤的一例的流程图。
具体实施方式
以下参照附图,对实施方式涉及的异物检查装置及半导体制造装置详细地进行说明。还有,本发明并非由这些实施方式限定。
(第1实施方式)
图1是示意性地表示具备第1实施方式涉及的异物检查装置的半导体制造系统的结构的图。半导体制造系统1具备收置处理前的布线基板(包括层叠有存储器芯片和/或控制器芯片等芯片的布线基板)80的加载器10、检查在布线基板80上是否存在异物85的异物检查装置20、在布线基板80上存在异物85的情况下除去异物85的异物除去装置30、在布线基板80上不存在异物85的情况下使存储器芯片和/或控制器芯片等芯片90层叠于布线基板80上的芯片层叠装置40、收置层叠有芯片90的布线基板80的卸载器50、在加载器10与卸载器50之间将布线基板80输送到各处理装置的输送装置60和对这各处理装置进行控制的系统控制装置70。
异物检查装置20是检查在输送来的布线基板80的上表面或层叠于布线基板80上的芯片90的上表面是否存在异物85的检查装置。关于异物检查装置20的结构后述。
异物除去装置30是除去在布线基板80的上表面或层叠于布线基板80上的芯片90的上表面存在的异物85的装置。作为异物除去装置30,例如能够使用以下结构的装置:通过使粘接带31接触于布线基板80的上表面或层叠于布线基板80上的芯片90的上表面、之后剥离,来除去异物85。在此,采用通过辊卷绕粘接带31的方式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造