[发明专利]薄膜晶体管的制造方法及其制造的薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、提供一基板；

步骤2、在基板上形成第一金属层，并通过光罩制程形成栅极；

步骤3、在栅极上形成栅极绝缘层；

步骤4、在栅极绝缘层上形成氧化物半导体层，在氧化物半导体层上形成第二金属层，该第二金属层包括形成于氧化物半导体层上的钛层及形成于钛层上的铜层，并通过光罩制程形成数据线与源/漏极；

步骤5、在第二金属层上形成透明导电层，并通过光罩制程图案化该透明导电层，进而制得薄膜晶体管。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述基板为玻璃或塑胶基板。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述钛层的厚度小于12nm。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述氧化物半导体层含有氧化锌、氧化锡、氧化铟及氧化镓中至少一种。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述步骤4的光罩制程包括：

步骤4.11、在铜层上形成光阻层，通过曝光及湿蚀刻形成数据线，并在光阻层对应位置上形成沟道；

步骤4.12、用四氟化碳或六氟化硫对钛层进行干蚀刻；

步骤4.13、用氧气灰烬化沟道底部，以暴露铜层；

步骤4.14、用草酸对氧化物半导体层进行湿蚀刻；

步骤4.15、用铜酸对暴露的铜层进行湿蚀刻，以暴露钛层；

步骤4.16、用四氟化碳或六氟化硫对暴露的钛层进行干蚀刻，并去除光阻层，以形成源/漏极。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述步骤4的光罩制程包括：

步骤4.21、在铜层上形成光阻层，通过曝光及湿蚀刻形成数据线，并在光阻层对应位置上形成沟道；

步骤4.22、用四氟化碳或六氟化硫对钛层进行干蚀刻；

步骤4.23、用氧气灰烬化沟道底部，以暴露铜层；

步骤4.24、用草酸对氧化物半导体层进行湿蚀刻；

步骤4.25、用铜酸对暴露的铜层进行湿蚀刻，以暴露钛层；

步骤4.26、用氧气氧化铜层表面，于侧壁形成氧化铜层；

步骤4.27、通过氯气对暴露的钛层进行干蚀刻，并去除光阻层，以形成源/漏极。

7.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板、形成于基板上的栅极、覆盖栅极的栅极绝缘层、形成于栅极绝缘层上的氧化物半导体层、及形成于氧化物半导体层上的源/漏极，所述源/漏极包含有钛层及形成于钛层上的铜层。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述基板为玻璃或塑胶基板。

9.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述钛层的厚度小于12nm。

10.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体层含有氧化锌、氧化锡、氧化铟及氧化镓中至少一种。