[发明专利]薄膜晶体管的制造方法及其制造的薄膜晶体管

说明书

技术领域

本发明涉及平面显示装置技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管的制造方法及其制造的薄膜晶体管。

背景技术

液晶显示装置（LCD，Liquid Crystal Display）具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置，其包括液晶显示面板及背光模组（backlight module）。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，通过玻璃基板通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。

通常液晶显示面板由彩膜（CF，Color Filter）基板、薄膜晶体管基（TFT，Thin Film Transistor)板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶（LC，Liquid Crystal）及密封胶框（Sealant）组成，其成型工艺一般包括：前段阵列（Array）制程（薄膜、黄光、蚀刻及剥膜）、中段成盒（Cell）制程（TFT基板与CF基板贴合）及后段模组组装制程（驱动IC与印刷电路板压合）。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。

所述薄膜晶体管基板一般包括玻璃基板及形成于玻璃基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管主要有三种结构,分别为共平面(co-planer)结构、蚀刻中止层(island-stop)结构及背通道(BCE)结构，而现有的氧化物薄膜晶体管主要是以共平面结构与蚀刻中止层结构为主，原因是背通道结构会在工艺制程中对氧化物半导体层造成损伤,影响其电性。

请参阅图1，为现有的通过五道光罩制程形成于玻璃基板100上的背通道结构薄膜晶体管的结构示意图，其包括：形成于玻璃基板100上的栅极101、形成于栅极绝缘层103、形成于栅极绝缘层103上的氧化物半导体层105及形成于该氧化物半导体层105上的源/漏极107，所述氧化物半导体层105含有氧化锌（ZnO_x）、氧化锡（SnO_x）、氧化铟（InO_x）及氧化镓（GaO_x）中至少一种，其一般选用氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)；所述源/漏极107一般为在氧化物半导体层105上通过溅射（sputtering）工艺依次形成铝（Al）层及钼（Mo）层，再通过光阻材料涂布、曝光、显影、蚀刻及去除光阻材料等制程形成，对铝层处理时需要进行蚀刻制程，其蚀刻液一般为磷酸（H₃PO₄）与硝酸（HNO₃）的混酸，而该磷酸与硝酸的混酸会与氧化物半导体层105发生反应，进而导致氧化物半导体层105也被蚀刻，进而影响薄膜晶体管的电性，降低了薄膜晶体管的质量。

发明内容

本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管的制造方法，其简化了生产制程，降低了生产成，提高了制得的薄膜晶体管的电性。

本发明的另一目的在于提供一种薄膜晶体管，其制程简单，且具有较高的电性。

为实现上述目的，本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤：

步骤1、提供一基板；

步骤2、在基板上形成第一金属层，并通过光罩制程形成栅极；

步骤3、在栅极上形成栅极绝缘层；

步骤4、在栅极绝缘层上形成氧化物半导体层，在氧化物半导体层上形成第二金属层，该第二金属层包括形成于氧化物半导体层上的钛层及形成于钛层上的铜层，并通过光罩制程形成数据线、及源/漏极；

步骤5、在第二金属层上形成透明导电层，并通过光罩制程图案化该透明导电层，进而制得薄膜晶体管。

所述基板为玻璃或塑胶基板。

所述钛层的厚度小于12nm。

所述氧化物半导体层含有氧化锌、氧化锡、氧化铟及氧化镓中至少一种。

所述步骤4的光罩制程包括：

步骤4.11、在铜层上形成光阻层，通过曝光及湿蚀刻形成数据线，并在光阻层对应位置上形成沟道；

步骤4.12、用四氟化碳或六氟化硫对钛层进行干蚀刻；

步骤4.13、用氧气灰烬化沟道底部，以暴露铜层；

步骤4.14、用草酸对氧化物半导体层进行湿蚀刻；

步骤4.15、用铜酸对暴露的铜层进行湿蚀刻，以暴露钛层；