[发明专利]采用质子辐照制备终端结构的方法

权利要求书

1.采用质子辐照制备终端结构的方法，其特征在于，包括：

在衬底上制备芯片的主结和P型场限环；

在所述形成主结和P型场限环的芯片上制备元包结构；

在所述形成元包结构的芯片上淀积金属电极后，通过刻蚀形成阴极；

在所述形成阴极的芯片上通过质子注入后退火形成N型阱，完成芯片的正面工艺；

在所述完成正面工艺的芯片的背面进行P型离子注入形成P集电极后，淀积金属电极形成阳极，获得成品。

2.如权利要求1所述的采用质子辐照制备终端结构的方法，其特征在于，所述在衬底上制备芯片的主结和P型场限环包括：

将衬底上的氧化层通过刻蚀获得氧化层窗口后，通过所述氧化层窗口对衬底进行一次性高掺杂P型杂质注入，形成主结位置的高掺杂P型阱和终端区的高掺杂P型阱；

将形成主结位置的高掺杂P型阱和终端区的高掺杂P型阱的芯片去除光刻胶，进行热退火处理后形成高掺杂P型主结和高掺杂P型场限环。

3.如权利要求1所述的采用质子辐照制备终端结构的方法，其特征在于，所述在衬底上制备芯片的主结和P型场限环包括：

将衬底上的氧化层通过刻蚀获得氧化层窗口后，通过所述氧化层窗口对衬底先进行低掺杂P型杂质注入，形成主结位置的低掺杂P型阱和终端区的低掺杂P型阱，然后再进行高掺杂P型杂质注入，形成主结位置的高掺杂P型阱和终端区的高掺杂P型阱；

将形成主结位置的高掺杂P型阱和终端区的高掺杂P型阱的芯片去除光刻胶，进行热处理后形成低掺杂P型主结和高掺杂P型主结，及低掺杂P型场限环和高掺杂P型场限环。

4.如权利要求2或3所述的采用质子辐照制备终端结构的方法，其特征在于，所述在形成主结和P型场限环的芯片上制备元包结构包括：

在所述形成主结和P型场限环的芯片表面淀积栅氧化层，然后淀积多晶硅后，通过掩膜版进行刻蚀形成有源区窗口和终端区窗口；

在所述有源区窗口和终端区窗口淀积场氧后，刻蚀有源区场氧进行元包结构的制备。

5.如权利要求4所述的采用质子辐照制备终端结构的方法，其特征在于：

所述将形成阴极的芯片通过质子注入时，所述辐射质子的能量为0.5-3Mev，辐照质子的剂量1e13-1e16cm^-2,质子辐照所形成的平均射程7-30μm。

6.如权利要求5所述的采用质子辐照制备终端结构的方法，其特征在于：

所述将通过质子注入后的芯片进行退火是在氢等离子体氛围下进行退火，退火温度为350-500℃，退火时间0.5~5小时。

7.如权利要求6所述的采用质子辐照制备终端结构的方法，其特征在于：

所述将形成阴极的芯片通过质子注入时是通过掩模板进行质子注入，形成相互独立的N型阱。

8.如权利要求6所述的采用质子辐照制备终端结构的方法，其特征在于：

所述将形成阴极的芯片通过质子注入时是通过掩膜版进行质子注入，形成存在部分交叠部分独立的N型阱。

9.如权利要求6所述的采用质子辐照制备终端结构的方法，其特征在于：

所述将形成阴极的芯片通过质子注入时是直接对芯片进行质子注入，形成一个包围所有场限环的N型阱。