[发明专利]有源层离子注入方法及薄膜晶体管有源层离子注入方法

权利要求书

1.一种有源层离子注入方法，其特征在于，该方法包括：

在有源层上涂覆光刻胶；

透过所述光刻胶对所述有源层进行离子注入。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述透过光刻胶对有源层进行离子注入的步骤之后，还包括：

剥离所述光刻胶。

3.一种薄膜晶体管有源层离子注入方法，其特征在于，包括：

在有源层上涂覆光刻胶；

透过所述光刻胶对与薄膜晶体管TFT沟道区域对应的有源层第一区域进行离子注入。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对与薄膜晶体管TFT沟道区域对应的有源层第一区域进行离子注入，具体包括：

对涂覆于有源层上方的光刻胶进行曝光并显影，显影后形成光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域，透过所述光刻胶半保留区域对所述有源层第一区域进行离子注入；

其中，所述光刻胶完全保留区域对应薄膜晶体管TFT的源、漏极电极区域，且光刻胶完全保留区域厚度为离子注入不能透过的厚度；

所述光刻胶半保留区域对应TFT的沟道区域，且光刻胶半保留区域厚度为离子注入能够透过的厚度。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，对涂覆于有源层上方的光刻胶进行曝光，具体包括：

利用半透式掩膜板对所述光刻胶进行曝光处理；

其中，所述半透式掩膜板的半透明区域对应所述光刻胶半保留区域，所述半透式掩膜板的不透明区域对应所述光刻胶完全保留区域。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，对涂覆于有源层上方的光刻胶进行曝光，具体包括：

利用灰色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光处理；

其中，所述灰色调掩膜板的半透明区域对应所述光刻胶半保留区域，所述灰色调掩膜板的不透明区域对应所述光刻胶完全保留区域。

7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，对涂覆于有源层上方的光刻胶进行曝光，具体包括：

利用形成TFT源漏电极图形的TFT源漏电极掩膜板对所述光刻胶进行曝光；

其中，所述TFT源漏电极掩膜板的曝光区对应所述光刻胶的半保留区域，所述TFT源漏电极掩膜板的图形区域对应光刻胶完全保留区域。

8.如权利要求3-7任一项所述的方法，其特征在于，当离子注入到TFT源漏极区域对应的有源层第二区域时，该方法还包括：

对所述源漏极区域对应的有源层第二区域进行离子反向重掺杂。

9.如权利要求3-7任一项所述的方法，其特征在于，当离子注入结束后，该方法还包括：

剥离所述光刻胶。