[发明专利]有源层离子注入方法及薄膜晶体管有源层离子注入方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器制造领域，尤其涉及一种有源层离子注入方法及薄膜晶体管有源层离子注入方法。

背景技术

采用低温多晶硅技术(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)制造的显示面板，能够降低显示屏的功耗，加上LTPS TFT（Thin Film Transistor，薄膜晶体管）显示面板具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率等优点，LTPS TFT显示面板得到越来越广泛的应用。

LTPS TFT阵列基板制造过程中，为提高TFT特性，对有源层进行离子注入是不可缺少的一个重要步骤，如图1所示为目前广泛使用的LTPS TFT显示面板的截面示意图，现有技术的LTPS TFT阵列基板制造工艺中，首先需要在玻璃基板11上沉积一层缓冲层12，之后在缓冲层12的整个表面上沉积非晶硅a-Si，通过脱氢工艺以及低温晶化工艺形成多晶硅层。晶化结束后利用有源层掩膜板进行有源层图形曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺形成有源层13，对形成的有源层13进行离子注入。

现有技术中，进行有源层13离子注入时，为保护有源层13的表面不被离子注入轰击所损伤，通常利用有源层13表面沉积的栅绝缘层14来保护其表面，注入的离子通过栅绝缘层14进入到有源层13中，达到最终的离子注入效果，如图2所示。

发明人在实施本发明的过程中，发现现有的LTPS TFT进行有源层离子注入工艺时，为了防止损失有源层，通过栅绝缘层进行离子注入保护，但是掺杂离子在注入过程中不仅损伤了栅绝缘层的薄膜结构，并且会有离子残留在栅绝缘层中，使其特性变差；而且在LTPS后端高温工艺中，栅绝缘层中的离子还会进行扩散，进一步影响栅绝缘层特性。

发明内容

本发明的目的是提供一种有源层离子注入方法及薄膜晶体管有源层离子注入方法，以解决现有技术中利用栅绝缘层进行有源层离子注入时，损伤栅绝缘层薄膜结构，影响栅绝缘层特性的问题。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

本发明一方面提供了一种有源层离子注入方法，该方法包括：

在有源层上涂覆光刻胶；

透过所述光刻胶对所述有源层进行离子注入。

本发明另一方面还提供了一种薄膜晶体管有源层离子注入方法，该方法包括：

在有源层上涂覆光刻胶；

透过所述光刻胶对与薄膜晶体管TFT沟道区域对应的有源层第一区域进行离子注入。

本发明提供的有源层离子注入方法以及TFT有源层离子注入的方法，通过涂覆的光刻胶作为有源层的保护层进行离子注入，保证有源层离子注入时，不破坏有源层，进行后续工艺时，也能保证栅绝缘层的薄膜结构不破坏，确保栅绝缘层特性，并提高TFT的特性。

附图说明

图1为现有技术中LTPS TFT显示面板的截面示意图；

图2为现有技术利用栅绝缘层进行有源层离子注入的示意图；

图3A为本发明实施例提供的LTPS有源层离子注入方法流程图；

图3B为本发明实施例提供的有源层涂覆光刻胶示意图；

图4A为本发明实施例提供的利用HTM掩膜板对光刻胶进行部分曝光示意图；

图4B为本发明实施例提供的利用TFT源漏电极掩膜板对光刻胶进行部分曝光示意图;

图4C为本发明实施例提供的LTPS TFT阵列基板制造过程中光刻胶部分曝光后离子注入示意图。

具体实施方式

本发明实施例提供的LTPS有源层离子注入的方法，通过涂覆的光刻胶作为有源层的保护层进行离子注入，保证有源层离子注入时，不破坏有源层，进行后续工艺时，也能保证栅绝缘层的薄膜结构不破坏，确保TFT的特性。

本发明实施例一提供一种LTPS有源层离子注入方法，如图3A所示为本发明实施例一提供的LTPS有源层离子注入方法流程图。

步骤S301：在玻璃基板11上形成缓冲层12。

具体的，为了防止玻璃基板中有害物质对多晶薄膜层性能的影响，采用化学气相沉积PECVD法在玻璃基板11上沉积缓冲层12，并且在沉积缓冲层12之前需要进行玻璃基板11的预清洗，提高玻璃基板11的清洁度。

步骤S302：在缓冲层12上形成多晶硅层。

具体的，在缓冲层11上沉积一层非晶硅层a-Si，然后进行脱氢工艺以及低温晶化处理得到多晶硅层。

步骤S303：曝光显影形成有源层13。