[发明专利]一种无核封装基板种子层附着力的方法

说明书

 

技术领域

本发明属于印制线路板制造技术领域，特别涉及一种使用无核增层法进行高密度PCB封装基板的制造技术。

背景技术

随着封装基板制造工艺不断向小型化和更高布线密度方向发展，所对应的布线图层的线宽线距也越来越窄，这也同时对线路层与基材之间的附着力水平提出了更高的要求。

类似于半导体芯片的制作工艺，在使用无核增层法进行高密度PCB封装基板制造技术中，每次在积层增层之前，必须要在顺次积层的基础层基材表面制备一层合适厚度的金属种子层后，才能实现下一层线路图层及层间铜柱导通图层的图形转移制作。目前制作金属种子层的流程方法是：首先对已完成研磨处理后的基础层表面进行化学除胶渣（Desmear）处理 → 等离子体(Plasma)表面活化清洁处理 → 氮气烤箱烘烤 → 之后采用磁控溅射镀膜的方法完成金属种子层的制作。然而，在实践应用中发现运用这一工艺处理方法所制作的金属种子层，其与基材之间的结合力水平只能达到3N/cm左右的最低工艺要求水平，当所制造的基板的线宽线距水平高于50um时，这样的结合力水平尚可满足现有制程要求；但是当所制造的基板的线宽线距水平低于50um以下时，则随着线宽线距越来越窄，因线路层附着力水平太低无法抗拒后续制程所带来的各种影响和冲击，导致线路剥离情况越来越严重，从而致使制程的良率水平大幅度下降。因此为了解决这一现实问题，就必须探索找到一个切实有效的工艺处理方法来大幅提升金属种子层的结合力水平，从而从根本上提高制程良率水平。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种大幅提升金属种子层结合力水平、提高制程良率水平的无核封装基板种子层附着力的方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种无核封装基板种子层附着力的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

a.除胶渣处理阶段，先将已经过前工序完成研磨处理后的基板表面进行正常除胶渣处理；

b.进入热固性树脂液膜涂覆及固化处理阶段或光固性树脂液膜涂覆及预固化处理阶段，所述热固性树脂液膜涂覆及固化处理阶段后进入选择性蚀刻处理工艺阶段，所述光固性树脂液膜涂覆及预固化处理阶段后进入树脂光固及选择性去除阶段；

c.树脂覆膜表面粗化处理阶段，采用化学除胶渣处理工艺（Desmear）或等离子体蚀刻处理工艺（Plasma），对树脂覆膜表面进行进一步的粗化处理；

d.氮气烤箱烘烤阶段，通过在氮气环境下对基板进行高温烘烤；

e.金属种子层磁控溅射镀膜加工后结束。

作为上述技术方案的进一步优化，所述b步骤的进入热固性树脂液膜涂覆及固化处理阶段还包括纯树脂液膜制备阶段和树脂液膜固化阶段。

作为上述技术方案的进一步优化，所述纯树脂液膜制备阶段的膜层厚度为2-5um。

作为上述技术方案的进一步优化，所述b阶段光固性树脂液膜涂覆及预固化处理阶段还包括树脂光固化处理阶段和选择性去除处理阶段。

本发明首先采用树脂涂覆的方式在经研磨处理后的基板表面制备上一薄层合适厚度的纯树脂膜层，之后通过采用相应的选择性蚀刻工艺，将覆盖在基板表面对应铜柱层表面区域的树脂膜层去除掉，至此初步完成了对基板表面构成成分的选择性转换处理阶段。通常为了更进一步提升金属种子层与基材涂覆层表面间的附着力水平，还需要对此纯树脂覆膜表面进行适当的粗化处理阶段，到此一个完整的结合力提升处理工艺流程全部完成，接下来的氮气烤箱烘烤和金属种子层溅射镀膜均采用原有的工艺流程来加以完成。

本发明一种无核封装基板种子层附着力的方法的有益效果主要表现为：幅提升金属种子层结合力水平、提高制程良率水平。

附图说明

图1为本发明实施例一的流程示意图。

图2为本发明实施例二的流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图及实施例描述本发明具体实施方式：

实施例一：

如图1所示，作为本发明一种无核封装基板种子层附着力的方法的最佳实施方式，其包括如下步骤：

对于采用热固性树脂涂覆的技术方法阐述如下： 

第一步，除胶渣处理阶段。

首先将已经过前工序完成研磨处理后的基板表面进行正常除胶渣处理，对此可以选择采用线路板制造行业所普遍使用的化学除胶渣处理工艺（Desmear）或等离子体蚀刻处理工艺（Plasma）均可。具体处理工艺参数可根据所选用基板制造所用绝缘材料的不同而进行相应的差别化调整。