[发明专利]一种电容器超薄膜的制备方法

说明书

发明领域

本发明涉及纳米级聚合物膜制备领域，特别是制造用于电容器的超薄聚合物膜制备方法。 

背景技术

随着电力电子技术的发展，各种电力变换、交流传动、储能电源等对直流大容量电容器的需求不断增加，由于铝电解电容在性能、可靠性和寿命方面都存在许多不足，而金属化薄膜电容替代铝电解电容的趋势越来越明显。尤其是在节能和新能源领域，金属化薄膜电容器发挥着巨大的作用。 

塑料薄膜作为电容器的介质，最初用于电子设备的聚酯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚苯乙烯薄膜是以代替纸介的形式进入实用化的。目前常用的薄膜有聚酯膜和聚丙烯膜两种。在新型薄膜材料方面也研制了聚萘乙酯和聚苯酰硫等耐高温的介质材料。 

对于中高电压系列的电容器，可通过提高薄膜介质本身的介电强度(单位厚度可承受的击穿电压)，选用较薄介质厚度来提高容积比。为了减小薄膜电容器中介质膜的厚度，研究者进行了大量的改进工作。专利(200680050894.9)利用聚苯硫醚高分子薄膜至少一个面上金属化，在高分子薄膜与金属层之间设有以硅氧烷组合物为成分的涂层。但膜厚度较大。 

本发明针对薄膜电容器隔膜的特征，提出一种全新的制备方法：以嵌段共聚物为原料，在溶剂中溶解制成低浓度溶液。然后通过旋涂的方法制备成膜。基体材料在不同溶液浓度以及旋涂转速条件下可以制成10-500nm厚度的薄膜。且膜表面平整致密，膜内部结构规整，膜厚度均一无缺陷。该方法制备简单，易于放大。既可以用做薄膜电容器的隔膜，又可以作为超级电容器的隔膜使用。 

发明内容：

本发明目的在于提供一种超薄嵌段聚合物膜制备方法，尤其是制备可以用于薄膜电容器的聚合物膜的制备方法。 

本发明的特征在于：依次含有以下步骤； 

步骤(1)，以甲苯为溶剂，把嵌段共聚物溶解。所述共聚物在溶液中浓度用重量百分数表示为0.05％～20％； 

步骤(2)，使用旋涂法把步骤(1)得到的溶液在平滑的电极表面旋涂成薄膜，膜厚度在10～500纳米之间； 

步骤(3)，在步骤(2)得到的薄膜表面真空干燥12小时，把薄膜制成电容器中的介质膜。 

所述嵌段共聚物可使用下述材料：含有聚苯乙烯嵌段的嵌段共聚物，也可以是含有聚苯乙烯嵌段的嵌段共聚物与其中某一嵌段对应的均聚物的混合物。其中苯乙烯体积分数40％～95％。 

所述溶剂是除了所述甲苯以外，下述溶剂中的一种或两种以上的混合物；四氢呋喃，二氧六环，二甲苯，二氯甲烷，三氯化碳，四氯化碳，环己烷，二硫化碳。 

本发明所述的方法利用嵌段共聚物的自组装特性，使用旋涂法制备形貌均一的电容器介质膜。同时发挥聚合物膜结构可控、厚度可调，膜强度高的特点，组成电容器介质膜。所述制膜方法简单，容易实现放大生产。该隔膜适用于薄膜电容器，也可以作为超级电容器隔膜用于储能器件。利用本发明的嵌段共聚物隔膜结构可调的优点，对发展新型薄膜电容器介质膜提供新思路。 

具体实施方式： 

本发明的实施步骤如下： 

1)使用化学溶剂将嵌段共聚物溶解，采用旋涂法在平滑电极的表面旋涂制备共聚物薄膜，待溶剂挥发，真空干燥12小时后形成薄膜电容器介质膜。 

2)步骤1)所述化学溶剂是甲苯，四氢呋喃，二氧六环，二甲苯，二氯甲烷，三氯化碳，四氯化碳，环己烷，二硫化碳以及所述溶剂2种以上混合物； 

3)步骤1)中所述聚合物是含有聚苯乙烯嵌段的嵌段共聚物，也可以是含有聚苯乙烯嵌段的嵌段共聚物与其中某一嵌段对应的均聚物的混合物。 

4)步骤1)所述聚合物其中苯乙烯体积分数40％～95％。 

5)步骤1)中所述聚合物在溶液中的浓度为0.05％～20％。(重量百分数)。 

6)步骤1)所述的旋涂法是指将高分子溶液平铺在平滑的固体表面，采用平滑的电极表面。 

7)步骤1)所述的旋涂法制膜时转速控制在每分钟450～5000转范围，溶剂挥发后形成薄膜。 

8)步骤1)所述薄膜电容器介质膜厚度在10～500纳米范围。 

附图说明：

图1是实施例3制备的纳米级介质膜表面结构原子力显微镜图 

具体实施方式

实施例1