[发明专利]半导体封装件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210377052.1 申请日: 2012-10-08
公开(公告)号: CN103107146B 公开(公告)日: 2017-01-18
发明(设计)人: 金沅槿;宋炫静;崔银景;张慧英 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 陈源,张帆
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装件,包括:

内部封装件,其包括至少一个半导体芯片,所述至少一个半导体芯片利用内部密封件进行密封;

外部衬底,在其上安装所述内部封装件;以及

外部密封件,其对所述内部封装件进行密封,所述内部密封件的杨氏模量小于所述外部密封件的杨氏模量。

2.权利要求1的半导体封装件,其中所述内部密封件的杨氏模量不大于所述外部密封件的杨氏模量的十分之一。

3.权利要求1的半导体封装件,其中

所述内部密封件包括硅树脂基材料、热固性材料、热塑性材料、和紫外光固化材料中的至少一种材料,并且

所述外部密封件包括环氧树脂基材料、热固性材料、热塑性材料和紫外光固化材料中的至少一种材料。

4.权利要求3的半导体封装件,其中所述热固性材料包括丙烯酸聚合物添加剂以及下列中的至少一种:酚类硬化剂、酸酐类硬化剂以及胺类硬化剂。

5.权利要求1的半导体封装件,其中

所述内部密封件和所述外部密封件由相同的树脂形成,并且

所述外部密封件比所述内部密封件包含更大密度的填料。

6.权利要求1的半导体封装件,其中当所述至少一个半导体芯片与多个半导体芯片相对应时,所述多个半导体芯片中的一些是存储器芯片,而另一些是逻辑芯片。

7.权利要求1的半导体封装件,其中

所述内部封装件包括硅通路、具有下表面的内部衬底、以及在所述下表面上连接至所述硅通路的连接部件,

所述至少一个半导体芯片在所述内部衬底上,并且经过所述硅通路连接至所述连接部件,并且

所述内部衬底通过所述连接部件安装在所述外部衬底上。

8.权利要求7的半导体封装件,其中当所述至少一个半导体芯片与多个半导体芯片相对应时,所述多个半导体芯片在所述内部衬底上以多层结构构成层叠芯片部分。

9.权利要求8的半导体封装件,其中

在所述至少一个半导体芯片的每一个中有芯片硅通路和连接至所述芯片硅通路的芯片连接部件,或者在所述至少一个半导体芯片的除最上面的半导体芯片以外的所有半导体芯片的每一个中有芯片硅通路和连接至所述芯片硅通路的芯片连接部件,并且

所述半导体芯片经过所述芯片硅通路和所述芯片连接部件彼此电连接。

10.权利要求7的半导体封装件,其中

当所述至少一个半导体芯片与多个半导体芯片相对应时,所述多个半导体芯片中的一些构成第一层叠芯片部分,而另一些构成第二层叠芯片部分,并且

所述第一层叠芯片部分和所述第二层叠芯片部分布置在所述内部衬底上以便彼此间隔开。

11.权利要求10的半导体封装件,其中

所述第一层叠芯片部分和所述第二层叠芯片部分都由存储器芯片形成,或者

所述第一层叠芯片部分由存储器芯片形成,所述第二层叠芯片部分由逻辑芯片形成。

12.权利要求7的半导体封装件,其中所述内部衬底是包括构成所述内部封装件的多个半导体芯片的有源晶片,或者是包括构成所述内部封装件的多个单元中间层的中间层衬底。

13.权利要求7的半导体封装件,其中所述内部衬底的侧表面被所述内部密封件密封。

14.权利要求7的半导体封装件,其中所述内部衬底的侧表面从所述内部密封件暴露出来。

15.权利要求7的半导体封装件,还包括:

下列两种底层填料中的至少一种:在所述至少一个半导体芯片与所述内部衬底之间的内部底层填料和在所述内部封装件与所述外部衬底之间的外部底层填料。

16.权利要求15的半导体封装件,所述底层填料包括环氧树脂。

17.权利要求1的半导体封装件,其中所述内部封装件是晶片级封装件。

18.权利要求1的半导体封装件,其中所述内部封装件具有扇入或扇出结构。

19.权利要求1的半导体封装件,其中所述内部密封件对暴露了顶面的所述至少一个半导体芯片进行密封。

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