[发明专利]半导体封装件及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年10月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2011-0100767的优先权，该项专利申请的内容通过引用结合于此。

技术领域

本发明思想涉及半导体封装件，具体而言，涉及具有减小压力的半导体封装件和/或其制造方法。

背景技术

通常，通过在晶片上执行若干半导体工艺而形成的半导体芯片经历封装工艺从而形成半导体封装件。半导体封装件可以包括：半导体芯片；在其上安装半导体芯片的印刷电路板（PCB）；将半导体芯片电连接至PCB的接合线或凸块；以及对半导体芯片进行密封的密封件。随着半导体封装件的集成度越高，就越希望半导体封装件的可靠性和可使用性。

发明内容

本发明思想提供了一种具有减小压力的半导体封装件，其易于在半导体封装工艺中进行操作并且减小了或有效地防止了翘曲，以及/或者提供了一种制造该半导体封装件的方法。

根据本发明思想的一个示例实施例，一种半导体封装件可以包括：内部封装件，其包括至少一个半导体芯片并且用内部密封件进行密封；外部衬底，在其上安装所述内部封装件；以及外部密封件，其对所述内部封装件进行密封，其中所述内部密封件和所述外部密封件具有不同的杨氏模量。

所述内部密封件的杨氏模量可以小于所述外部密封件的杨氏模量。

所述内部密封件可以包括硅树脂基材料、热固性材料、热塑性材料、和紫外光固化材料中的至少一种材料，并且所述外部密封件可以包括环氧树脂基材料、热固性材料、热塑性材料和紫外光固化材料中的至少一种材料。

当所述至少一个半导体芯片与多个半导体芯片相对应时，所述多个半导体芯片中的一些可以是存储器芯片而另一些可以是逻辑芯片。

所述内部封装件可以包括硅通路（TSV）和内部衬底，在所述内部衬底的下表面上形成连接至所述TSV的连接部件。所述至少一个半导体芯片可以在所述内部衬底上，并且经过所述TSV连接至所述连接部件。所述内部衬底可以通过所述连接部件安装在所述外部衬底上。当所述至少一个半导体芯片与多个半导体芯片相对应时，所述半导体芯片可以在所述内部衬底上构成以多层结构形成的层叠芯片部分。

所述内部衬底可以由包括构成所述内部封装件的多个半导体芯片的有源晶片形成，或者可以由包括构成所述内部封装件的多个单元中间层（interposer）的中间层衬底形成。

所述内部封装件可以是不具有内部衬底的晶片级封装件（WLP）。所述内部封装件可以具有扇入（fan-in）或扇出（fan-out）结构。

根据本发明思想的一个示例实施例，一种半导体封装件可以包括：在其中具有TSV的内部衬底；在所述内部衬底上的层叠芯片部分；对所述层叠芯片部分进行密封的内部密封件；在其上安装所述内部衬底的外部衬底；以及对所述内部衬底、所述层叠芯片部分和所述内部密封件进行密封的外部密封件。所述外部密封件比所述内部密封件具有更大的杨氏模量。所述层叠芯片部分可以是至少一个半导体芯片的层叠。

根据本发明思想的一个示例实施例，一种制造半导体封装件的方法可以包括步骤：通过利用内部密封件对至少一个半导体芯片进行密封来形成内部封装件；在外部衬底上安装所述内部封装件；以及利用外部密封件对所述内部封装件进行密封，所述外部密封件比所述内部密封件具有更大的杨氏模量。

形成所述内部封装件的步骤可以包括：形成内部衬底，所述内部衬底具有硅通路（TSV）；在所述内部衬底上形成多个层叠芯片部分，所述多个层叠芯片部分的每一个包括半导体芯片的层叠；通过利用所述内部密封件对所述多个层叠芯片部分进行密封；以及将密封的多个层叠芯片部分分成独立的内部封装件，并且每个内部封装件包括至少一个层叠芯片部分。