[发明专利]一种智能卡SIM模块的生产方法有效
申请号: | 201210377172.1 | 申请日: | 2012-10-08 |
公开(公告)号: | CN103715112A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 陈泽平 | 申请(专利权)人: | 中山市汉仁电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 张海文 |
地址: | 528400 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 智能卡 sim 模块 生产 方法 | ||
1.一种智能卡SIM模块的生产方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)准备已经由半导体晶片切割分解而成的整盘SIM半导体芯片,所述半导体芯片的背面粘合于安装粘性胶带的表面,所述安装粘性胶带的厚度为80μm至120μm,半导体芯片上设有的芯片连接点正面向上露出;
(2)将半导体芯片及贴合于其背面的安装粘性胶带放置于焊接机上,焊接机上设有加热底座装置,所述加热底座装置上开有多条环形真空导槽,导槽下方连接有用于抽真空的真空装置,所述环形真空导槽的宽度为3mm,加热底座装置上设置有导热平面托盘,所述导热平面托盘上设置有吸合通孔,所述吸合通孔设置在环形真空导槽的正上方,其中吸合通孔的孔径大小为0.9 mm至1.2mm,每一条环形导槽上均匀分布有多个吸合通孔,所述导热平面托盘上的吸合通孔数量为24至40个,半导体芯片及其安装粘性胶带安装于导热平面托盘上,真空装置通过环形真空导槽及吸合通孔以抽真空的方式将安装粘性胶带牢固地吸合在导热平面托盘上;
(3)加热底座装置通过导热平面托盘对半导体芯片进行加热,在加热的同时,在半导体芯片的芯片连接点处点上导电凸点;
(4)在半导体芯片的正面贴一粘性薄膜,所述粘性薄膜比安装粘性胶带的粘性要强,所述粘性薄膜的厚度为80μm-120μm,半导体芯片分别通过印有导电凸点的芯片连接点与粘性薄膜粘合;
(5)对安装粘性胶带、半导体芯片及粘性薄膜整体翻转,使得半导体芯片的正面朝向正下方,背面朝向正上方,即半导体芯片上的芯片连接点的方向朝下;
(6)将安装粘性胶带撕下,使得半导体芯片的背面向外露出;将翻好的半导体芯片放到UV辐射固化机里面进行固化;
(7)在SIM载体胶带的焊接引脚上点上弹性固化胶,将需要贴装的半导体芯片与粘性薄膜分离,将该半导体芯片从背面吸住并输送至SIM载体胶带上,使半导体芯片正面带有导电凸点的芯片连接点与SIM载体胶带的背面金属接触点压合连接,所述背面金属接触点与SIM载体胶带的正面金属接触点电连接;
(8)对SIM载体胶带进行压合及烘干,使弹性固化胶水凝固,使半导体芯片固定在SIM载体胶带上,完成智能卡SIM模块。
2.根据权利要求1所述的一种智能卡SIM模块的生产方法,其特征在于:步骤(2)中其中导热平面托盘上还设置有隔热膜,所述隔热膜用于在加热时降低半导体芯片及安装粘性胶带的温度,隔热膜上开有与吸合通孔相对应的连通孔,所述隔热膜的厚度为80μm至120μm,所用材料为耐高温类材质。
3.根据权利要求1所述的一种智能卡SIM模块的生产方法,其特征在于:步骤(1)中已经切割完成的半导体芯片边长为0.5mm至3mm的正方形颗粒。
4.根据权利要求1所述的一种智能卡SIM模块的生产方法,其特征在于:步骤(1)中半导体上的芯片连接点有5个。
5.根据权利要求1所述的一种智能卡SIM模块的生产方法,其特征在于:步骤(1)中安装粘性胶带的边缘粘合在一金属环的一面上,而粘性薄膜粘在相对安装粘性胶带的另一侧的金属环上。
6.根据权利要求1所述的一种智能卡SIM模块的生产方法,其特征在于:步骤(2)中加热底座装置上设有4条环形真空导槽,导热平面托盘正对着每条环形真空导槽均匀分布有8个吸合通孔,导热平面托盘上一共开了32个吸合通孔,其中整盘半导体晶片的直径为8寸。
7.根据权利要求2所述的一种智能卡SIM模块的生产方法,其特征在于: 步骤(3)中加热底座装置上的加热温度为80至90度,采用隔热膜后半导体芯片的温度为50-60度。
8.根据权利要求1所述的一种智能卡SIM模块的生产方法,其特征在于:步骤(3)中在半导体芯片连接点上点上的导电凸点为金球或铜球。
9.根据权利要求1所述的一种智能卡SIM模块的生产方法,其特征在于:步骤(7)中SIM载体胶带的背面金属接触点所用的金属为金、镍或铜。
10.根据权利要求1所述的一种智能卡SIM模块的生产方法,其特征在于:步骤(7)中SIM载体胶带的正面金属接触点所用的金属为金、镍或铜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造