[发明专利]一种智能卡SIM模块的生产方法有效
申请号: | 201210377172.1 | 申请日: | 2012-10-08 |
公开(公告)号: | CN103715112A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 陈泽平 | 申请(专利权)人: | 中山市汉仁电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 张海文 |
地址: | 528400 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 智能卡 sim 模块 生产 方法 | ||
技术领域
本发明涉及智能SIM卡的生产工艺,特别涉及一种智能卡SIM模块的生产方法。
背景技术
目前,智能SIM卡广泛应用于手机、安防、用户识别等领域,特别在移动通信领域中被广泛所应用,随着通信领域的不断发展,智能SIM卡被赋予了更多的功能,更大的容量及更小的体积,而这需要更加精确的工艺及生产方法。
智能SIM卡通常由接触金属片和集成芯片构成,其中传统的智能卡模块制作都是采用导线焊接的方式实现。众所周知的是,半导体晶片切割后所得到的集成电路芯片其具有芯片连接点的正面都是向外露出的,假若不经过处理,当这些集成电路芯片被吸合传送并安装到基板上时必然也是正面向外露出的。由于芯片连接点都位于正面上,因此要使得其与基板上的焊点电气连接,那么这是必要需要利用导线焊接的方式实现,即通过导线将正面上的芯片连接点和基板上的焊点连接起来,参照图1所示。这种导线焊接的方式具有以下的缺点:(1)贴装所占用的物理尺寸较大,特别是由于导线焊接不能交叉或下射,因此无法实现物理尺寸非常小的模块产品,如在制作智能卡模块时,利用此方式实现所得到的智能卡模块产品的物理尺寸通常较大;(2)制作成本高,由于连接导线一般都是采用黄金材料,此导线连接的方式需要使用一从芯片连接点到基板上的较长接线,此导线需要花费较多量的黄金进行制作,因而会导致成本升高;(3)连接不可靠,当此导线折断或掉落时芯片便不能正常工作。
为了克服上述部分缺点,现出现了一种Flip-Chip的芯片贴装工艺,该工艺在将集成电路芯片吸合传送到基板上设有将该单个芯片翻转的动作,使得芯片安装到基板上时可以正面与基板贴合,芯片和焊点上直接通过凸点电气连接。这种贴装方法可以大大减小贴装所占用的物理尺寸,减轻制作成本,但由于此工艺在翻转芯片时是针对单个芯片进行的,在实现时一般通过双机械臂进行传递和操作,因此这种贴装方法存在效率低下、控制复杂的缺点。
专利号为200710142260.2的中国专利公开了“用于IC封装的组合倒置”发明专利,该专利中公开了一种针对普通集成电路的倒装贴片封装工艺:(1)首先在半导体晶片上形成用于连接衬底的焊料凸点,(2)安装并粘合带有凸点晶片的背面到第一可释放带,(3)切割芯片完成独立管芯,(4)倒置切割的管芯和第一带,(5)粘合第二带到管芯的有源表面,(6)释放和去除第一可释放带,(7)从第二释放带释放并去除管芯。该专利倒置第一释放带及将管芯的有源表面放置在第二释放带上,通过第一释放带和第二释放带将芯片整体批量倒置,再通过普通的拾取倒置后的芯片实现IC的封装,解决了通过双机械臂进行传递和操作、只可以单个芯片进行翻转的缺点。但是该专利需要先在半导体晶片上形成用于连接衬底的焊料凸点,然后再对晶片进行切割,由于在形成焊料凸点时,若晶片已经切割完成,通过机械往管芯上点上焊料凸点的时候容易使半导体芯片间的相对位置发生变化,而且会使第一释放带出现变形、皱褶的情况,导致翻转后管芯的排列错乱,在进行拾取的时候容易出错,导致生产焊接的精度不高,因此现有的技术只能先形成焊料凸点再进行切割,而且为了在形成焊料凸点时为了防止整盘半导体芯片移动,通常使用抽真空的方式使半导体晶片固定在底座上,但由于切割后的智能卡SIM半导体晶片体积很少,若切割后再形成焊料凸点,在抽真空的状态下反而会让成颗的半导体芯片被吸往导槽中,从而让第一释放带出现更加严重的变形、皱褶的情况,参照图2所示,因此,在生产时形成焊料凸点和切割晶片需要同时进行。
而在智能SIM卡生产领域中,随着生产加工的不断细分,为了节省生产成本,可通过购买整盘的SIM半导体芯片进行加工,但是由于需要在点上焊料凸点后再进行切割,因此还需要购买一套切割的生产设备,而且切割其精度不及SIM半导体芯片厂家搞,若可以在切割芯片后再形成焊料凸点,则直接购买切割好的晶片进行加工,可大大降低生产成本,节省社会资源,有助于推广新型的智能卡微处理芯片。
发明内容
为解决上述问题,本发明的目的在于提供可批量进行翻转、能在晶片切割后再印上导电凸点的一种智能卡SIM模块的生产方法。
本发明解决其问题所采用的技术方案是:
一种智能卡SIM模块的生产方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)准备已经由半导体晶片切割分解而成的整盘SIM半导体芯片,所述半导体芯片的背面粘合于安装粘性胶带的表面,所述安装粘性胶带的厚度为80μm至120μm,半导体芯片上设有的芯片连接点正面向上露出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造