[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

对布线输出电位的移位寄存器，该移位寄存器包括第一晶体管及第二晶体管，

其中，所述第一晶体管的栅电极通过导电膜电连接到所述第二晶体管的栅电极，

所述第二晶体管的源电极和漏电极之一电连接到所述布线，从而所述电位供应给所述布线，以及

所述第二晶体管的沟道长度与沟道宽度之间的比例大于所述第一晶体管的沟道长度与沟道宽度之间的比例。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一晶体管的半导体膜和所述第二晶体管的半导体膜分别包括氧化物半导体或非晶硅。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二晶体管的所述沟道长度与所述沟道宽度之间的所述比例比所述第一晶体管的沟道长度与所述沟道宽度之间的所述比例大两倍以上。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一晶体管的氧化物半导体膜及所述第二晶体管的氧化物半导体膜分别包含铟、镓及锌。

5.一种半导体装置，包括：

对布线输出电位的移位寄存器，该移位寄存器包括第一晶体管及第二晶体管，

其中，所述第一晶体管的栅电极通过导电膜电连接到所述第二晶体管的栅电极，

所述第二晶体管的源电极和漏电极之一电连接到所述布线，从而所述电位供应给所述布线，

所述第二晶体管的沟道长度与沟道宽度之间的比例大于所述第一晶体管的沟道长度与沟道宽度之间的比例，以及

所述导电膜与所述第一晶体管的源电极和漏电极以及所述第二晶体管的所述源电极和所述漏电极为同一层。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第一晶体管的半导体膜和所述第二晶体管的半导体膜分别包括氧化物半导体或非晶硅。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第一晶体管的氧化物半导体膜及所述第二晶体管的氧化物半导体膜分别包含铟、镓及锌。

8.一种半导体装置，包括：

多个像素；以及

对布线输出电位的移位寄存器，该移位寄存器包括第一晶体管及第二晶体管，

其中，所述布线电连接到所述多个像素，

所述第一晶体管的栅电极通过导电膜电连接到所述第二晶体管的栅电极，

所述第二晶体管的源电极和漏电极之一电连接到所述布线，从而所述电位供应给所述布线，以及

所述第二晶体管的沟道长度与沟道宽度之间的比例大于所述第一晶体管的沟道长度与沟道宽度之间的比例。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述第一晶体管的半导体膜和所述第二晶体管的半导体膜分别包括氧化物半导体或非晶硅。

10.一种半导体装置，包括：

多个像素；以及

对布线输出电位的移位寄存器，该移位寄存器包括第一晶体管及第二晶体管，

其中，所述布线电连接到所述多个像素，

所述第一晶体管的栅电极通过导电膜电连接到所述第二晶体管的栅电极，

所述第二晶体管的源电极和漏电极之一电连接到所述布线，从而所述电位被供应给所述布线，

所述第二晶体管的沟道长度与沟道宽度之间的比例大于所述第一晶体管的沟道长度与沟道宽度之间的比例，

所述导电膜与所述第一晶体管的源电极和漏电极以及所述第二晶体管的所述源电极和所述漏电极为同一层。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第一晶体管的半导体膜和所述第二晶体管的半导体膜分别包括氧化物半导体或非晶硅。

12.一种半导体装置，包括：

多个像素；以及

对扫描线输出电位来选择所述多个像素的扫描线驱动电路，该扫描线驱动电路包括第一晶体管及第二晶体管，

其中，所述第一晶体管的栅电极通过导电膜电连接到所述第二晶体管的栅电极，

所述第二晶体管的源电极和漏电极之一电连接到所述扫描线，从而所述电位被供应给所述扫描线，

所述第二晶体管的沟道长度与沟道宽度之间的比例大于所述第一晶体管的沟道长度与沟道宽度之间的比例。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述第一晶体管的半导体膜和所述第二晶体管的半导体膜分别包括氧化物半导体或非晶硅。