[发明专利]一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路有效
| 申请号： | 201210379400.9 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102882181A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 黄善兵;翟建光;甘彦君 | 申请（专利权）人： | 深圳市新国都技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/08 | 分类号： | H02H3/08;H02H11/00;H02H3/20 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 李新林 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 双向 可控硅 反接 保护 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，其特征在于，其包括有：熔断器（FU1）、双向可控硅（Q1）及稳压管（D1），所述熔断器（FU1）的第一端为电源端（VIN），其第二端为供电输出端（VCC），该第二端还通过第一电阻（R1）而连接至稳压管（D1）的阴极，该稳压管（D1）的阳极通过第二电阻（R2）接地，所述熔断器（FU1）的第二端还连接双向可控硅（Q1）的第一极，所述双向可控硅（Q1）的第二极接地，其控制极连接至稳压管（D1）的阳极。
2.如权利要求1所述的基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，其特征在于，所述熔断器（FU1）为自恢复型保险丝。
3.如权利要求1所述的基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，其特征在于，所述稳压管（D1）的钳位电压为12V。
4.如权利要求3所述的基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，其特征在于，所述第一电阻（R1）与第二电阻（R2）的电阻值相等。
5.如权利要求1所述的基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，其特征在于，所述电源端（VIN）还通过第一电容（C1）接地。
6.如权利要求1所述的基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，其特征在于，所述第二电阻（R2）还并联有第二电容（C2）。
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