[发明专利]一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路

说明书

技术领域

本发明涉及驱动电源领域，尤其涉及一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路。

背景技术

随着科学技术的进步及社会的发展，越来越多的电子产品走进人们的日常生活。特别是随着小家电产品的种类及数量的增加，电源适配器产业逐渐兴起，实际应用中，电源过流、反接、过压等现象造成电子产品损坏的问题也日益凸显。于是，人们在设计电子产品时，不得不去设计一些保护电路以防止过压过流及反接的情况发生。

其中，过流是指电流过大，超过电路的额定电流的情况。现在主要防止过流的方法是在电路上加保险丝，保险丝上都有额定的电流，当电路电流超过保险丝的额定电流时，保险丝会熔断，形成断路，从而保护电路中的电子元器件。

反接是指电源适配器正负极接反的情况，一般防止反接的办法是在电路中加二极管，利用二极管的单向导电的特性而抑制反向电流的流过，但是采用这种方法时，二极管上会有压降的损耗，该损耗会随着电流的增加而增大，在电流较大的电路中，有可能会因为压降太大而造成电路处于欠压的情况。

过压是指输入电压超过额定输入电压的情况，现有技术中常采用过压保护芯片而稳定浪涌电压，当电压输入持续过高时，可将电路断开以保护电子元件，但是，过压保护芯片的价格较高，增加了企业成本。

因此，现有的反接保护及过压保护电路存在电路欠压及成本较高的缺陷。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，提供一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，从而避免电路欠压及降低产品成本。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案。

一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，其包括有：熔断器、双向可控硅及稳压管，所述熔断器的第一端为电源端，其第二端为供电输出端，该第二端还通过第一电阻而连接至稳压管的阴极，该稳压管的阳极通过第二电阻接地，所述熔断器的第二端还连接双向可控硅的第一极，所述双向可控硅的第二极接地，其控制极连接至稳压管的阳极。

优选地，所述熔断器为自恢复型保险丝。

优选地，所述稳压管的钳位电压为12V。

优选地，所述第一电阻与第二电阻的电阻值相等。

优选地，所述电源端还通过第一电容接地。

优选地，所述第二电阻还并联有第二电容。

本发明公开的一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路中，当电路过流时，熔断器熔断以令电路呈断路状态。当电源端与地反接时，双向晶闸管的控制极与第二极均为高电位，双向晶闸管导通，熔断器因电路短路而熔断，从而实现了对电源端与地反接时的保护，这种保护方法，相比现有技术中采用二极管抑制反向电流的保护方式，避免了因二极管的压降损耗而造成的电路欠压。当电源端的输入电压过高时，稳压管反向击穿，且通过第一电阻及第二电阻的分压作用，使第二电阻产生电压，当该电压达到双向可控硅的触发电压时，双向可控硅因导通而将电源端与地短路，此时，熔断器因电流过大而熔断，从而实现了过压保护，这种保护方法，相比现有技术中采用过压保护芯片的保护方式，降低了产品成本。因此，本发明不仅避免了电路欠压还降低了产品成本。

附图说明

图1为本发明的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作更加详细的说明。

本发明公开一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，如图1所示，其包括有：熔断器FU1、双向可控硅Q1及稳压管D1，所述熔断器FU1的第一端为电源端VIN，其第二端为供电输出端VCC，该第二端还通过第一电阻R1而连接至稳压管D1的阴极，该稳压管D1的阳极通过第二电阻R2接地，所述熔断器FU1的第二端还连接双向可控硅Q1的第一极，所述双向可控硅Q1的第二极接地，其控制极连接至稳压管D1的阳极。