[发明专利]半导体栅极结构以及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体栅极结构的方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一介电结构与一堆叠结构以形成一沟槽；

在该介电结构与该堆叠结构上共形地形成一第一导电层；以及

在该第一导电层的一顶部区域上形成一氧化层。

2.根据权利要求1所述的形成半导体栅极结构的方法，其特征在于其中该氧化层是使用一等离子体氧化而形成。

3.根据权利要求2所述的形成半导体栅极结构的方法，其特征在于其中该等离子体氧化步骤的压力是从0.1 torr到0.5 torr。

4.根据权利要求1所述的形成半导体栅极结构的方法，其特征在于其还包含移除至少该氧化层的步骤。

5.根据权利要求1所述的形成半导体栅极结构的方法，其特征在于其还包含在该第一导电层上形成一第二导电层的步骤。

6.根据权利要求1所述的形成半导体栅极结构的方法，其特征在于其中该第一导电层在相邻于该介电结构的一第一区域处具有一第一厚度，以及在相邻于该堆叠结构的一第二区域处具有一第二厚度，其中该第一厚度对该第二厚度的比值是从50%到95%。

7.根据权利要求2所述的形成半导体栅极结构的方法，其特征在于其中该堆叠结构还包含一第三导电层。

8.根据权利要求7所述的形成半导体栅极结构的方法，其特征在于其中该堆叠结构还包含一第一介电层，而该第三导电层以及设置在该第三导电层上的一第二介电层是设置于该第一介电层之上。

9.根据权利要求1所述的形成半导体栅极结构的方法，其特征在于其还包含将至少一部分的该第一导电层转换为该氧化层的步骤。

10.一种半导体栅极结构，其特征在于其包含：

一沟槽，是经由一介电结构以及一堆叠结构而形成；以及

一导电填充结构，是设置在该介电结构以及该堆叠结构上，

其中该导电填充结构包含至少二个导电层。

11.根据权利要求10所述的半导体栅极结构，其特征在于其中该堆叠结构更包含：

一基板；

一第一介电层，是设置在该基板上；

一第三导电层，是设置在该第一介电层上；以及

一第二介电层，是设置在该第三导电层上。

12.根据权利要求11所述的半导体栅极结构，其特征在于其中该介电结构延伸至该基板并相邻于该堆叠结构。

13.根据权利要求10所述的半导体栅极结构，其特征在于其中该至少二个导电层还包含一第一导电层，其是共形地设置在该介电结构与该堆叠结构上。

14.根据权利要求13所述的半导体栅极结构，其特征在于其中该至少二个二或者更多导电层还包含一第二导电层，其是设置在该第一导电层上。

15.根据权利要求13所述的半导体栅极结构，其特征在于其中该第一导电层在相邻于该介电结构的一区域处具有一第一厚度，以及在相邻于该堆叠结构的另一区域处具有一第二厚度，其中该第一厚度对该第二厚度的比值是从50%到95%。

16.根据权利要求10所述的半导体栅极结构，其特征在于其中该沟槽的一底部部分是经由该堆叠结构而定义。

17.根据权利要求10所述的半导体栅极结构，其特征在于其中该沟槽的一侧壁部分是经由该介电结构而定义。

18.根据权利要求13所述的半导体栅极结构，其特征在于其中该第一导电层具有一U形开口。

19.根据权利要求13所述的半导体栅极结构，其特征在于其中该第一导电层具有一V形开口。