[发明专利]在制造半导体器件过程中去除残留物的方法在审
| 申请号： | 201210382915.4 | 申请日： | 2012-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103390540A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 巫俊昌;陈俊璋;吴权陵;莫忘本;谢弘璋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 过程 去除 残留物 方法 | ||
1.一种方法，包括：
在半导体衬底上形成第一光刻胶部件和第二光刻胶部件；
在所述半导体衬底上施加化学材料涂层，其中，所述化学材料涂层介入第一光刻胶部件和第二光刻胶部件之间；以及
清洗所述半导体衬底，其中，清洗去除了所述半导体衬底上的所述化学材料涂层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述化学材料涂层是顶部抗反射涂层材料(TARC)。
3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
在清洗所述半导体衬底后旋转干燥所述半导体衬底。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，施加所述化学材料涂层包括将将所述涂层施加至具有感光材料残留物的区域。
5.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
在衬底上形成感光材料层；
将所述感光材料层曝光成图案；
显影所述感光材料层，其中，所述显影提供间隔介于其间的第一部件和第二部件；以及
在显影的感光材料层上形成涂层，其中，所述涂层包括顶部抗反射涂层(TARC)。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，显影后所述感光材料层的残留物设置在所述间隔中。
7.根据权利要求5所述的方法，进一步包括：
在形成所述涂层后清洗所述衬底。
8.一种方法，包括：
在衬底上形成感光材料层；
将所述感光材料层曝光成图案；
显影曝光的感光材料层，其中，显影提供间隔介于其间的第一部件和第二部件，所述间隔由图案限定，而且感光材料的残留物形成在所述间隔中；
在显影的感光材料层上形成涂层，其中，所述涂层包括抗反射涂层，其中，所述涂层形成在所述残留物上；
混合所述残留物和涂层材料；以及
使用清洗工艺去除所述涂层材料和所述残留物。
9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：
在所述清洗工艺之后干燥所述衬底；以及
在干燥工艺之后烘烤所述衬底。
10.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：
在形成感光材料之前在所述衬底上形成底部抗反射涂层(BARC)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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