[发明专利]在制造半导体器件过程中去除残留物的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种方法，具体而言，涉及一种在制造半导体器件过程中去除残留物的方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业经历了迅速的发展。IC材料和技术的技术发展产生出多代IC，每个新一代IC都具有比前一代更小但更复杂的电路。在IC的发展过程中，通常增大了功能密度(即，每个芯片区域的互连器件数量)，而减小了几何尺寸(即，使用制造工艺可以产生的最小部件(或线))。这种按比例缩小的工艺的优点在于提高了生产效率并且降低了相关费用。然而，这些发展增加了IC的加工和制造的复杂性，并且为了实现这些发展，IC的加工和制造也需要类似的发展。

在半导体衬底上形成不需要的残留物是随着半导体集成电路的几何尺寸的减小和该几何尺寸所提供的高纵横比而产生的挑战之一。在具有高形貌(topography)或形貌差异的器件中这尤其是个问题。因此，需要一种减少和/或去除形成在衬底上的残留物的方法。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种方法，包括：在半导体衬底上形成第一光刻胶部件和第二光刻胶部件；在所述半导体衬底上施加化学材料涂层，其中，所述化学材料涂层介入第一光刻胶部件和第二光刻胶部件之间；以及清洗所述半导体衬底，其中，清洗去除了所述半导体衬底上的所述化学材料涂层。

在上述方法中，其中，所述化学材料涂层是顶部抗反射涂层材料(TARC)。

在上述方法中，进一步包括：在清洗所述半导体衬底后旋转干燥所述半导体衬底。

在上述方法中，其中，施加所述化学材料涂层包括将将所述涂层施加至具有感光材料残留物的区域。

在上述方法中，其中，所述第一光刻胶部件和所述第二光刻胶部件的形成包括：在底部抗反射层(BARC)上提供感光材料涂层；将所述感光材料涂层曝光成图案，以及显影曝光的光刻胶以形成设置在BARC上的第一光刻胶部件和第二光刻胶部件。

在上述方法中，其中，在清洗所述半导体衬底后实施硬烘。

根据本发明的另一方面，还提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成感光材料层；将所述感光材料层曝光成图案；显影所述感光材料层，其中，所述显影提供间隔介于其间的第一部件和第二部件；以及在显影的感光材料层上形成涂层，其中，所述涂层包括顶部抗反射涂层(TARC)。

在上述方法中，其中，显影后所述感光材料层的残留物设置在所述间隔中。

在上述方法中，进一步包括：在形成所述涂层后清洗所述衬底。

在上述方法中，其中，清洗包括从所述衬底去除所述涂层。

在上述方法中，进一步包括：在形成所述涂层后清洗所述衬底，进一步包括：在清洗所述衬底之后干燥所述衬底。

在上述方法中，进一步包括：在形成所述涂层后清洗所述衬底，进一步包括：在清洗所述衬底之后干燥所述衬底，其中，干燥工艺是旋转干燥工艺。

在上述方法中，进一步包括：在形成所述涂层后清洗所述衬底，其中，显影后所述感光材料层的残留物设置在所述间隔中，而且清洗去除了所述残留物和所述涂层。

在上述方法中，其中，在硬烘工艺之前形成所述涂层。

根据本发明的又一方面，还提供了一种方法，包括：在衬底上形成感光材料层；将所述感光材料层曝光成图案；显影曝光的感光材料层，其中，显影提供间隔介于其间的第一部件和第二部件，所述间隔由图案限定，而且感光材料的残留物形成在所述间隔中；在显影的感光材料层上形成涂层，其中，所述涂层包括抗反射涂层，其中，所述涂层形成在所述残留物上；混合所述残留物和涂层材料；以及使用清洗工艺去除所述涂层材料和所述残留物。

在上述方法中，进一步包括：在所述清洗工艺之后干燥所述衬底；以及在干燥工艺之后烘烤所述衬底。

在上述方法中，进一步包括：在形成感光材料之前在所述衬底上形成底部抗反射涂层(BARC)。

在上述方法中，进一步包括：在形成感光材料之前在所述衬底上形成底部抗反射涂层(BARC)，其中，所述涂层的形成包括在介于所述第一部件和所述第二部件之间的间隔中的BARC层上直接形成所述涂层。

在上述方法中，其中，所述涂层的形成包括旋转涂布抗反射材料。

在上述方法中，其中，所述涂层的形成包括在介于所述第一部件和所述第二部件之间的衬底的表面上形成所述涂层。

附图说明