[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括用于形成NMOS的NMOS区和用于形成PMOS的PMOS区；

步骤S102：在所述半导体衬底的PMOS区通过嵌入式锗硅工艺形成抬升的PMOS源极和漏极；

步骤S103：在所述半导体衬底的NMOS区通过嵌入式碳硅工艺形成抬升的NMOS源极和漏极；

其中，所述步骤S102和步骤S103的顺序可以互换。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S102包括：

步骤S1021：在所述半导体衬底上形成一层图形化的光刻胶，其中，所述光刻胶位于所述PMOS的源区和漏区的部分被去除；

步骤S1022：利用所述图形化的光刻胶为掩膜，对所述半导体衬底进行刻蚀，在所述半导体衬底上所述PMOS的源区和漏区对应的位置分别形成硅凹槽；

步骤S1023：在所述PMOS的源区硅凹槽和漏区硅凹槽的位置分别形成锗硅层，作为所述PMOS的源极和漏极。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述PMOS源区硅凹槽和漏区硅凹槽的截面形状为Sigma形或矩形。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S103包括：

步骤S1031：在所述半导体衬底上形成一层图形化的光刻胶，其中，所述光刻胶在NMOS的源区和漏区的部分被去除；

步骤S1032：利用所述图形化的光刻胶为掩膜，对所述半导体衬底进行刻蚀，在所述半导体衬底上所述NMOS的源区和漏区对应的位置分别形成硅凹槽；

步骤S1033：在所述NMOS的源区硅凹槽和漏区硅凹槽的位置分别形成锗硅层，作为所述NMOS的源极和漏极。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述NMOS的源区硅凹槽和漏区硅凹槽的截面形状为Sigma形或矩形。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S 102中形成的所述PMOS的源极和漏极的顶部均高于所述半导体衬底的上表面，和/或，在所述步骤S103中形成的所述NMOS的源极和漏极的顶部均高于所述半导体衬底的上表面。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S101和步骤S102之间还包括：在所述半导体衬底上形成NMOS的金属栅极和PMOS的金属栅极的步骤。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述在所述半导体衬底上形成NMOS的金属栅极和PMOS的金属栅极的步骤与所述步骤S102之间，还包括形成金属栅极保护层的步骤，所述金属栅极保护层覆盖包括所述NMOS的金属栅极和PMOS的金属栅极在内的所述半导体衬底。

9.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述NMOS的源极和漏极的高度均不低于所述NMOS的金属栅极的高度，和/或，所述PMOS的源极和漏极的高度均不低于所述PMOS的金属栅极的高度。

10.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述NMOS的金属栅极和所述PMOS的金属栅极的高度均为

11.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述NMOS的金属栅极和所述PMOS的金属栅极的高度均为

12.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述NMOS的源极和漏极均高于所述NMOS的金属栅极，且高出的高度范围小于和/或，所述PMOS的源极和漏极均高于所述PMOS的金属栅极，且高出的高度范围小于