[发明专利]一种稀土配位聚合物薄膜的电化学制备及其应用

权利要求书

1.一种稀土配位聚合物薄膜的电化学制备方法，包括A或B两种途径，其中，

A途径包括如下步骤：

a）往Ln_mX_n溶液中插入导电材料，Ln=稀土离子，X=阴离子， m， n为自然数；

b）以导电材料为电极电解Ln_mX_n溶液；

c）电解结束后，在导电材料表面生成一层均匀、致密的Ln(OH)_x或Ln_xO_y薄膜；

d）将上一步得到的Ln(OH)_x或Ln_xO_y薄膜浸入到Ln_mX_n及配体的溶液中，在50～250℃进行水热或溶剂热反应，冷却后，在原Ln(OH)_x或Ln_xO_y薄膜表面形成一层均匀、致密的稀土配位聚合物薄膜；

B途径包括如下步骤：

1）用溶剂将Ln_mX_n及配体溶解后加入到电解池中，Ln=稀土离子，X=无机阴离子，m，n为自然数；

2）以导电材料为电极，加入导电物质，电解上述溶液；

3）电解结束后，在导电材料表面生成一层均匀、致密的稀土配位聚合物薄膜。

2.根据权利要求1所述的稀土配位聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述配体为多齿羧酸类配体。

3.根据权利要求1所述的稀土配位聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述稀土元素包括：Y，La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的稀土配位聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述导电材料为导电非金属材料、导电金属材料或导电高分子材料。

5.根据权利要求1所述的稀土配位聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所用溶剂为水或/和有机溶剂。

6.根据权利要求5所述的稀土配位聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为DMSO、DMF、THF、甲醇、乙醇、丙酮、乙腈中的至少一种。

7.权利要求1～6任一项的方法制备得到的稀土配位聚合物薄膜在检测水体金属离子上的应用。

8.一种金属离子的检测方法，包括以下步骤：

1)将稀土配位聚合物薄膜浸泡在含待测金属离子的溶液中；

2)测定稀土配位聚合物薄膜的荧光强度，根据荧光强度的变化来判断待检溶液中所含金属离子的种类及其浓度；

所述稀土配位聚合物薄膜由权利要求1～6任一项的方法制得。