[发明专利]半导体器件设计方法、系统和计算机程序产品有效
申请号: | 201210383333.8 | 申请日: | 2012-10-10 |
公开(公告)号: | CN103544333B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 喻秉鸿;黄正仪;王中兴 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 设计 方法 系统 计算机 程序 产品 | ||
技术领域
本发明一般地涉及半导体技术领域,更具体地来说,涉及半导体器件设计方法、系统和计算机程序产品。
背景技术
近来,微型化集成电路(IC)中的趋势已经生成了与以前相比消耗较少功率,还以更高的速度提供更多功能的较小器件。实施制造前检查和测试以确保可以与所设计的一样地制造半导体器件并且运转。
发明内容
根据本发明的一方面,提供了一种通过至少一个处理器实施的半导体器件设计方法,所述方法包括:使用第一工具提取半导体器件的布局的区域内部的电部件之间的至少一个第一寄生参数,所述半导体器件具有多个电部件;使用不同于所述第一工具的第二工具提取所述布局的所述区域外部的电部件之间的至少一个第二寄生参数;以及将提取的第一寄生参数和提取的第二寄生参数结合在所述布局中。
该方法进一步包括:提取所述区域内部的至少一个电部件和所述区域外部的至少一个电部件之间的至少一个第三寄生参数;以及将提取的第三寄生参数结合在所述布局中。
在该方法中,使用所述第一工具提取所述第三寄生参数。
在该方法中,在设置在所述布局的两个不同层中的电部件之间提取所述第一寄生参数、所述第二寄生参数和所述第三寄生参数中的至少一个。
在该方法中,所述第一工具比所述第二工具更精确或者需要更大的计算资源。
在该方法中,所述第一工具包括使用3维(3D)方法的第一电阻和电容(RC)提取工具,并且所述第二工具包括使用不如所述3D方法精确的方法的第二RC提取工具。
在该方法中,从由1维(1D)方法、2维(2D)方法以及2.5维(2.5D)方法所组成的组中选择所述第二RC提取工具的方法。
在该方法中,通过3D方法提取所述区域内部的电部件之间的所有第一寄生参数,而没有将所述区域内部的电部件分成一个或者多个预定义图案。
在该方法中,所述寄生参数包括寄生电容。
该方法进一步包括:自动识别或者基于用户输入识别所述区域;插入代表所述区域内部的电部件和所述区域外部的电部件之间的电连接件的引脚;以及使用所述引脚将提取的寄生参数结合在所述布局中。
在该方法中,所述插入包括使用RC提取工具。
在该方法中,使用所述第二工具的所述提取包括将所述区域看作黑盒。
该方法进一步包括:识别所述布局中的多个3维(3D)区域;从每个3D区域内部的电部件中提取多个第一寄生参数,其中,使用所述第一工具提取至少一个3D区域内部的电部件之间的所述第一寄生参数;使用不如所述第一工具精确的所述第二工具提取所述3D区域外部的电部件之间的多个第二寄生参数;提取每一个均在一个3D区域内部的一个电部件和该3D区域外部的一个电部件之间的多个第三寄生参数;以及将提取的寄生参数结合在所述布局中。
在该方法中,使用不如所述第一工具精确但是比所述第二工具精确的第三工具提取位于至少一个3D区域内部的电部件之间的所述第一寄生参数。
在该方法中,使用比所述第二工具更精确的第三工具提取所述第三寄生参数。
根据本发明的另一方面,提供了一种半导体器件设计系统,包括至少一个处理器,所述至少一个处理器被配置成:电阻-电容(RC)提取工具,用于:提取半导体器件的布局中的多个区域的每个区域内部的电部件之间的第一寄生电容,和提取所述区域外部的电部件之间的第二寄生电容;以及网表生成工具,用于将提取的寄生电容结合在代表所述布局的网表中;其中,所述RC提取工具被配置成使用比用于提取所述第二寄生电容更精确的方法提取至少一个区域内部的所述第一寄生电容。
在该系统中,所述RC提取工具被配置成使用不同方法提取不同区域内部的所述第一寄生电容。
在该系统中,所述RC提取工具进一步被配置成使用比用于提取所述第二寄生电容更精确的方法提取每一个都在一个区域内部的一个电部件和该区域外部的一个电部件之间的第三寄生电容。
在该系统中,所述RC提取工具还被配置成:从所述网表中识别所述区域;并且插入代表每个区域内部的电部件和该区域外部的电部件之间的连接件的引脚;以及所述网表生成工具被配置成使用所述引脚以将所提取的寄生电容结合在所述网表中。
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