[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体衬底；

下层布线，设置在所述半导体衬底上；

树脂膜，设置在所述半导体衬底以及所述下层布线上，在所述下层布线上具有第一开口；

第一SiN膜，设置在所述下层布线以及所述树脂膜上，在所述第一开口内具有第二开口；

上层布线，设置在所述下层布线以及所述树脂膜的一部分上；以及

第二SiN膜，设置在所述上层布线以及所述树脂膜上，在所述树脂膜上附着于所述第一SiN膜，

所述上层布线具有：Ti膜，经由所述第一以及第二开口与所述下层布线连接；Au膜，设置在所述Ti膜上，

所述第一以及第二SiN膜保护所述Ti膜的周围。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二SiN膜在所述上层布线上具有第三开口，

还具备经由所述第三开口与所述上层布线连接的金属焊盘。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述金属焊盘具有焊盘Au膜。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述金属焊盘还具有：

焊盘Ti膜，与所述上层布线连接；以及

焊盘金属膜，设置在所述焊盘Ti膜和所述焊盘Au膜之间，由Ｐt、Pd、Ru、Ta、Ni、Mo、Rh、Os、Ir中的任意一种构成。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具备设置在所述半导体衬底的背面并且经由贯通所述半导体衬底的通孔与所述下层布线连接的背面焊盘，

所述第二SiN膜不具有开口。

6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：

在半导体衬底上形成下层布线的工序；

在所述半导体衬底以及所述下层布线上形成树脂膜，在所述下层布线上，在所述树脂膜形成第一开口的工序；

在所述下层布线以及所述树脂膜上形成第一SiN膜，在所述第一开口内，在所述第一SiN膜形成第二开口的工序；

在所述下层布线以及所述树脂膜上形成上层布线的工序；

利用各向异性刻蚀对所述上层布线以及所述第一SiN膜进行构图的工序；以及

在构图后的所述上层布线以及所述树脂膜上形成第二SiN膜的工序，

所述上层布线具有：Ti膜，经由所述第一以及第二开口与所述下层布线连接；Au膜，设置在所述Ti膜上，

所述第一以及第二SiN膜保护所述Ti膜的周围。