[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及能够提高针对来自外部的杂质等的耐性的半导体装置及其制造方法。

背景技术

在MMIC（单片微波IC）中使用Ti/Au布线（例如，参照专利文献1）。Ti膜为数十nm，比较薄，为了确保与下层的附着力而被设置在最下层。此外，为了减少布线间的电容而使用空气桥布线（air-bridge wiring）。这是在利用溅射形成了Ti/Au供电层之后利用Au电镀形成的。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平1-262646号公报。

SiN膜针对镀层表面的附着力低，并且，空气桥布线的覆盖率（coverage）差。因此，利用耐湿性优良的SiN膜保护空气桥布线是困难的。因此，存在如下情况：由于从周围的组装构件产生的杂质（Br、Cl等）或外部气体中的H₂O，布线的Ti膜发生腐蚀，成为高电阻。并且，还存在如下情况：杂质到达半导体衬底的表面，半导体衬底发生腐蚀，产生工作不良。

发明内容

本发明是为了解决上述课题而提出的，其目的在于得到一种能够提高针对来自外部的杂质等的耐性的半导体装置及其制造方法。

本发明提供一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体衬底；下层布线，设置在所述半导体衬底上；树脂膜，设置在所述半导体衬底以及所述下层布线上，在所述下层布线上具有第一开口；第一SiN膜，设置在所述下层布线以及所述树脂膜上，在所述第一开口内具有第二开口；上层布线，设置在所述下层布线以及所述树脂膜的一部分上；第二SiN膜，设置在所述上层布线以及所述树脂膜上，在所述树脂膜上附着于所述第一SiN膜，所述上层布线具有：Ti膜，经由所述第一以及第二开口与所述下层布线连接；Au膜，设置在所述Ti膜上，所述第一以及第二SiN膜保护所述Ti膜的周围。

根据本发明，能够提高针对来自外部的杂质等的耐性。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式1的半导体装置的剖面图。

图2是示出比较例的半导体装置的剖面图。

图3是示出本发明的实施方式2的半导体装置的剖面图。

图4是示出本发明的实施方式2的半导体装置的变形例的剖面图。

图5是示出本发明的实施方式3的半导体装置的剖面图。

图6是示出本发明的实施方式4的半导体装置的制造工序的剖面图。

图7是示出本发明的实施方式4的半导体装置的制造工序的剖面图。

图8是示出本发明的实施方式4的半导体装置的制造工序的剖面图。

图9是示出本发明的实施方式4的半导体装置的制造工序的剖面图。

图10是示出本发明的实施方式4的半导体装置的制造工序的剖面图。

具体实施方式

参照附图对本发明的实施方式的半导体装置及其制造方法进行说明。对相同或对应的结构要素标注相同的附图标记，有时省略重复的说明。

实施方式1

图1是示出本发明的实施方式1的半导体装置的剖面图。在GaAs衬底1上设置有下层布线2。下层布线2具有Ti膜2a和在其上设置的 Au膜2b。在GaAs衬底1以及下层布线2上设置有SiN膜3以及树脂膜4。SiN膜3以及树脂膜4在下层布线2上具有开口5。

在下层布线2以及树脂膜4上设置有SiN膜6。SiN膜6在开口5内具有开口7。在下层布线2以及树脂膜4的一部分上设置有上层布线8。

上层布线8具有经由开口5、7与下层布线2连接的Ti膜8a和在其上设置的Au膜8b。上层布线8是利用蒸镀形成的。SiN膜9在树脂膜4上附着于SiN膜6。利用这些SiN膜6、9保护Ti膜8a的周围。

在上层布线8以及树脂膜4上设置有SiN膜9。SiN膜9在上层布线8上具有开口10。在这些开口10露出的上层布线8的一部分是焊盘部。

接下来，与比较例进行比较说明本实施方式的效果。图2是示出比较例的半导体装置的剖面图。在比较例中，没有树脂膜4，利用SiON膜11代替SiN膜6、9保护上层布线8。但是，存在如下情况：由于从周围的组装构件产生的杂质（Br、Cl等）或外部气体中的H₂O，布线的Ti膜2a、8a发生腐蚀，成为高电阻。并且，还存在如下情况：杂质到达GaAs衬底1的表面，GaAs衬底1发生腐蚀，产生工作不良。

相对于此，在本实施方式中，利用耐湿性优良的SiN膜6、9保护Ti膜8a的周围。因此，能够抑制来自外部的Br等的杂质浸入，能够抑制Ti膜8a的腐蚀。