[发明专利]高速记忆芯片模块和有高速记忆芯片模块的电子系统装置

权利要求书

1.一种高速记忆芯片模块，其特征在于，包含：

一种型式的记忆单元数组组，其中该型式的记忆单元数组组包含多个记忆单元数组集成电路，每一记忆单元数组集成电路具有一输入/输出数据总线，以及至少一记忆单元数组，其中该至少一记忆单元数组是有关于一第一金属氧化物半导体晶体管半导体制程，且该第一金属氧化物半导体晶体管半导体制程是有关于一第一金属氧化物半导体晶体管栅极长度；及

一逻辑单元，用以通过一第一传输总线存取该型式的记忆单元数组组，其中该第一传输总线是用以传送伴随该多个记忆单元数组集成电路的一第一组平行数据，且该第一传输总线的总线宽度是大于每一记忆单元数组集成电路的输入/输出数据总线的总线宽度，其中该逻辑单元是有关于一第二金属氧化物半导体晶体管半导体制程，该第二金属氧化物半导体晶体管半导体制程是有关于一第二金属氧化物半导体晶体管栅极长度，且该第一金属氧化物半导体晶体管栅极长度是大于该第二金属氧化物半导体晶体管栅极长度；

其中该逻辑单元另用以通过一第二传输总线转换该第一传输总线的该第一组平行数据成为一第二组平行资料。

2.如权利要求1所述的高速记忆芯片模块，其特征在于，该多个记忆单元数组集成电路是为一闪存集成电路或一动态随机存取内存集成电路，其中至少一记忆单元数组集成电路的切割方式包含一雷射切割制程。

3.如权利要求1所述的高速记忆芯片模块，其特征在于，另包含：

一中介层，其中该多个记忆单元数组集成电路中的至少一记忆单元数组集成电路与该逻辑单元是各自设置于该中介层的相对二边上，其中该中介层包含一硅材料或一氧化物玻璃材料，其中至少一记忆单元数组集成电路的切割方式包含一雷射切割制程。

4.如权利要求1所述的高速记忆芯片模块，其特征在于，另包含：

一中介层，其中该多个记忆单元数组集成电路是分别设置于该中介层上，且该中介层是设置于该逻辑单元之上，其中该中介层包含一硅材料或一氧化物玻璃材料。

5.如权利要求1所述的高速记忆芯片模块，其特征在于，该逻辑单元包含：

一平行转串行控制器，用以转换该第一组平行数据成为该第二组平行数据，且该逻辑单元通过一第二传输总线传输该第二组平行资料至一特殊应用集成电路处理器或一芯片系统处理器，其中该第一组平行数据的位宽度和该第二组平行数据的位宽度不同。

6.如权利要求5所述的高速记忆芯片模块，其特征在于，该第二传输总线是为一通用序列总线、一串行高阶技术附加装置总线、一通用闪存储存总线、一行动产业处理器接口总线或一高速外围装置互连接口总线。

7.如权利要求5所述的高速记忆芯片模块，其特征在于，通过该第一传输总线所传送的数据信号振幅与该第一传输总线所接收的数据信号振幅不同。

8.如权利要求5所述的高速记忆芯片模块，其特征在于，通过该第二传输总线所传送的数据信号振幅与该第二传输总线所接收的数据信号振幅不同。

9.如权利要求5所述的高速记忆芯片模块，其特征在于，该第一传输总线的传送数据速率与该第一传输总线的接收数据速率不同。

10.如权利要求5所述的高速记忆芯片模块，其特征在于，该第二传输总线的传送数据速率与该第二传输总线的接收数据速率不同。

11.如权利要求1所述的高速记忆芯片模块，其特征在于，该多个记忆单元数组集成电路中的每一个记忆单元数组集成电路是对应一第一密封环，以及该逻辑单元是对应一第二密封环，其中该多个记忆单元数组集成电路中的每一个记忆单元数组集成电路的电路是被一第一密封环包围与该逻辑单元的电路被该第二密封环包围。

12.如权利要求11所述的高速记忆芯片模块，其特征在于，该多个记忆单元数组集成电路中的每一个记忆单元数组集成电路的一第一密封环外具有至少一直接硅晶穿孔。

13.如权利要求12所述的高速记忆芯片模块，其特征在于，另包含：一金属层，设置在该型式的记忆单元数组组中的一最上层记忆单元数组之上，其中该金属层覆盖该最上层记忆单元数组50%以上的面积，且该多个记忆单元数组集成电路是堆栈在该逻辑单元之上。

14.如权利要求11所述的高速记忆芯片模块，其特征在于，该逻辑单元的第二密封环外具有至少一直接硅晶穿孔。