[发明专利]画素结构及画素结构的制作方法

权利要求书

1.一种画素结构的制作方法，包括：

于一基板上形成一薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括一第一电极；

于该基板上形成一第一绝缘层，覆盖该第一电极；

于该基板上形成一平坦层，覆盖该第一绝缘层且具有一第一开口，该第一开口暴露位于该第一电极上方的该第一绝缘层；

于该平坦层上形成一第一导电层，该第一导电层填入该第一开口中；

于该第一导电层上形成一图案化光阻层，该图案化光阻层具有一蚀刻开口，该蚀刻开口暴露出位于该第一电极上方的该第一导电层；

对该第一导电层进行一湿式蚀刻制程，该湿式蚀刻制程以该图案化光阻层为罩幕，经由该蚀刻开口移除位于该第一电极上方的该第一导电层，并且侧向蚀刻位于该图案化光阻层下的部分该第一导电层，以形成一图案化第一导电层，其中该图案化第一导电层具有一第二开口，该第二开口位于该第一开口内，且暴露出位于该第一电极上方的该第一绝缘层；

对该第一绝缘层进行一干式蚀刻制程，该干式蚀刻制程以该图案化光阻层为罩幕，经由该蚀刻开口移除位于该第一电极上方的该第一绝缘层，以形成一图案化第一绝缘层，其中该图案化第一绝缘层具有一暴露出该第一电极的第三开口，该第三开口小于该第二开口，且该第三开口自行对准于该第二开口内；

移除该图案化光阻层；

于该图案化第一导电层上形成一图案化第二绝缘层，该图案化第二绝缘层覆盖该图案化第一导电层以及该第二开口内暴露出的部分该第一绝缘层，该图案化第二绝缘层具有一第四开口，该第四开口位于该第三开口内，且暴露出部分该第一电极；以及

于该图案化第二绝缘层上形成一图案化第二导电层，该图案化第二导电层经由该第四开口与该第一电极电性连接。

2.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于，该第一电极包括一漏极电极。

3.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于，该平坦层包括一有机材料层。

4.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于，该第一开口具有一第一顶部直径，该第二开口具有一第二顶部直径，该第二顶部直径小于该第一顶部直径。

5.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于，该第一开口具有一第一底部直径，该第二开口具有一第二底部直径，该第二底部直径大于该第一底部直径。

6.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于，该第二开口的顶部边缘与该第一开口的顶部边缘之间的水平距离介于0.01μm至10μm。

7.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于，该图案化第二绝缘层覆盖该图案化第一导电层，以及该第二开口内暴露出的部分该第一绝缘层，使该图案化第一导电层与该第一电极、该图案化第二导电层电性绝缘。

8.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于，该第三开口的顶部直径实质上小于该第二开口的顶部直径。

9.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于，该第三开口的顶部边缘与该第二开口的顶部边缘之间的水平距离介于0.01μm至3.0μm。

10.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于，该图案化第一导电层与该图案化第二导电层的材质分别包括一透明导电材料。

11.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于，该薄膜晶体管的制造方法包括：

于该基板上形成一栅极；

于该基板上形成一栅介电层，该栅介电层覆盖该栅极；

于该栅介电层上形成一通道层，对准该栅极；以及

于该通道层两侧上形成该第一电极与一第二电极，且该第一电极与该第二电极电性连接该通道层。