[发明专利]画素结构及画素结构的制作方法

说明书

【技术领域】

本发明是有关于一种画素结构及画素结构的制作方法，且特别是有关于一种高解析度的画素结构及画素结构的制作方法。

【背景技术】

一般而言，高解析度显示器的画素结构包括薄膜晶体管以及与薄膜晶体管电性连接的画素电极。薄膜晶体管配置于基板上，包括栅极、栅介电层、通道层以及源极与漏极。一般会使用厚度较厚的平坦层增进平坦度，使液晶转动更平顺，平坦层配置于基板上，具有暴露出部分漏极的第一开口。电容电极配置于平坦层上且填入第一开口中，且电容电极具有暴露出漏极的第二开口。图案化绝缘层配置于电容电极上，覆盖电容电极，且具有暴露出部分漏极的第三开口。画素电极配置于图案化绝缘层上，经由第三开口与漏极电性连接。

画素结构的制作通常会使用到多道光罩，以在基板上形成包括扫描线与栅极的图案化第一金属层、包括数据线以及源极与漏极的图案化第二金属层、包括通道层的图案化半导体层、具有第一开口的平坦层、作为电容电极的具有第二开口的图案化第一导电层、具有第三开口的图案化绝缘层以及作为画素电极的图案化第二导电层。对于高解析度画素结构的多道光罩制程实际上会存在某种程度的对位偏移，导致高解析度画素结构的各膜层之间存在一定程度的偏移量。举例来说，由图案化第一导电层所形成的电容电极可能会偏移至平坦层的第一开口边缘处，此时由于光阻厚度的不一致，电容电极有可能会滑落至第一开口内。如此一来，造成电容电极与漏极发生短路。为了要避免上述情况发生，必须以过度曝光等方式来增加电容电极与平坦层的第一开口边缘之间的距离，如此一来可能导致关键尺寸不易控制，以及画素结构的解析度难以提升。

【发明内容】

本发明提供一种画素结构的制作方法，能避免第一电极与图案化第一导电层发生短路，并减少所需的光罩数目。

本发明另提供一种画素结构，具有高解析度以及高的电容面积，且具有较佳的元件特性与显示品质。

本发明提出一种画素结构的制作方法。于一基板上形成一薄膜晶体管，薄膜晶体管包括一第一电极。于基板上形成一第一绝缘层，覆盖第一电极。于基板上形成一平坦层，覆盖第一绝缘层且具有一第一开口，第一开口暴露位于第一电极上方的第一绝缘层。于平坦层上形成一第一导电层，第一导电层填入第一开口中。于第一导电层上形成一图案化光阻层，图案化光阻层具有一蚀刻开口，蚀刻开口暴露出位于第一电极上方的第一导电层。对第一导电层进行一湿式蚀刻制程，湿式蚀刻制程以图案化光阻层为罩幕，经由蚀刻开口移除位于第一电极上方的第一导电层，并且侧向蚀刻位于图案化光阻层下的部分第一导电层，以形成一图案化第一导电层，其中图案化第一导电层具有一第二开口，第二开口位于第一开口内，且暴露出位于第一电极上方的第一绝缘层。对第一绝缘层进行一干式蚀刻制程，干式蚀刻制程以图案化光阻层为罩幕，经由蚀刻开口移除位于第一电极上方的第一绝缘层，以形成一图案化第一绝缘层，其中图案化第一绝缘层具有一暴露出第一电极的第三开口，第三开口小于第二开口，且第三开口自行对准于第二开口内。移除图案化光阻层。于图案化第一导电层上形成一图案化第二绝缘层，图案化第二绝缘层覆盖图案化第一导电层以及第二开口内暴露出的部分第一绝缘层，图案化第二绝缘层具有一第四开口，第四开口位于第三开口内，且暴露出部分第一电极。于图案化第二绝缘层上形成一图案化第二导电层，图案化第二导电层经由第四开口与第一电极电性连接。

本发明另提出一种画素结构，设置在一基板上。画素结构包括一薄膜晶体管、一平坦层、一图案化第一导电层、一图案化第一绝缘层、一图案化第二绝缘层以及一图案化第二导电层。薄膜晶体管配置于基板上，包括一第一电极。平坦层配置于基板上，平坦层具有一第一开口，暴露出部分第一电极。图案化第一导电层配置于平坦层上且填入第一开口中，图案化第一导电层具有一第二开口，其中第二开口位于第一开口内，暴露出部分第一电极。图案化第一绝缘层配置于基板与平坦层之间，且覆盖薄膜晶体管，图案化第一绝缘层具有一第三开口，第三开口小于第二开口，且第三开口自行对准于第二开口内，暴露出第一电极。图案化第二绝缘层配置于图案化第一导电层上，图案化第二绝缘层覆盖图案化第一导电层以及第二开口内暴露出的部分第一绝缘层，图案化第二绝缘层具有一第四开口，第四开口位于第三开口内，暴露出部分第一电极。图案化第二导电层经由第四开口与第一电极电性连接。