[发明专利]用于覆晶接合的热压头

权利要求书

1.一种热压头，包括：

一主体部；及

一接触部，该接触部包含一接触面及一内部，其中该接触面包含数个接触面开口，所述接触面开口延伸至该内部。

2.如权利要求1的热压头，其中该主体部经由该主体部的一开口连通至一真空源。

3.如权利要求2的热压头，其中该内部连通至该真空源。

4.如权利要求1的热压头，其中该接触部位于该主体部上。

5.如权利要求1的热压头，其中该主体部及该接触部一体成型。

6.如权利要求1的热压头，其中该接触部的该接触面用以载送一芯片。

7.如权利要求1的热压头，其中该热压头用于芯片接合。

8.如权利要求1的热压头，其中所述接触面开口所占的面积小于该接触面的表面积的10％。

9.如权利要求1的热压头，其中所述接触面开口彼此间隔。

10.如权利要求1的热压头，其中所述接触面开口的宽度小于0.2毫米。

11.如权利要求1的热压头，其中所述接触面开口间的节距在1毫米至0.5毫米的范围中。

12.如权利要求11的热压头，其中所述接触面开口间的节距大致相等。

13.如权利要求1的热压头，其中该接触部包含一凹陷部。

14.如权利要求13的热压头，其中该凹陷部具有一高度及一宽度，该高度等于或大于1毫米，且该宽度等于或大于0.5毫米。

15.如权利要求1的热压头，其中该热压头的至少一表面涂覆一不沾黏涂层。

16.如权利要求1的热压头，其中所述接触面开口包含数个内接触面开口及数个外围接触面开口，其中所述外围接触面开口的宽度小于所述内接触面开口的宽度，且所述外围接触面开口环绕所述内接触面开口。

17.如权利要求1的热压头，其中该接触面更包含一外围沟槽，其围绕所述接触面开口。

18.如权利要求17的热压头，其中所述接触面开口阵列排列。

19.如权利要求17的热压头，其中所述接触面开口排列成一井字形。

20.如权利要求17的热压头，其中该接触面更包含一附加材料，其位于该外围沟槽中，且该附加材料为一低表面能的材料。

21.如权利要求20的热压头，其中该附加材料填满该外围沟槽。

22.如权利要求20的热压头，其中该附加材料不填满该外围沟槽。

23.如权利要求20的热压头，其中该附加材料涂覆于该接触面上。

24.一种热压头，包括：

一主体部，具有一开口，该开口用以连接至一真空源；及

一接触部，位于该主体部上，该接触部包含一接触面及一内部，其中该接触面包含数个接触面开口，所述接触面开口延伸至该内部，所述接触面开口经由该内部及该主体部的该开口连通至该真空源。

25.如权利要求24的热压头，其中所述接触面开口的宽度小于0.2毫米。

26.一种覆晶接合的方法，包括：

吸取一芯片的一第一表面，其中该芯片的该第一表面具有数个吸取区域，且所述吸取区域彼此间隔；及

热压该芯片至一基板上。

27.如权利要求26的方法，其中该芯片的该第一表面被真空吸力所吸取。

28.如权利要求26的方法，其中所有所述吸取区域的面积小于该芯片的该第一表面的面积的10％。