[发明专利]用于覆晶接合的热压头

说明书

技术领域

本发明关于一种芯片接合，详言之，关于热压接合。

背景技术

热压头用以载送一芯片至一基板上方的位置，接着热压该芯片以接合至该基板。已知热压头仅具有一真空孔。为了提供有效的吸取，该真空孔的尺寸相当大，例如2.5毫米。然而，该热压头会在该真空孔的位置附近造成大量的变形，尤其该芯片很薄时。因此，导致该芯片及该基板间的连结效果不良。

发明内容

本揭露的一方面关于一种热压头。在一实施例中，该热压头包括一主体部；及一接触部，该接触部包含一接触面及一内部，其中该接触面包含数个接触面开口，该些接触面开口延伸至该内部。该接触部位于该主体部上，该些接触面开口经由该内部及该主体部的开口连通至真空源。在本实施例中，该热压头由刚性且可导热的材质(例如不锈钢)所制成。为了减少该芯片上的应力，该些接触面开口相当小，较佳地，小于0.2毫米，且在该接触面的表面上大致上等距地间隔。该些接触面开口所占的面积小于该接触面的表面积的10％。

在一实施例中，该接触部更包含一凹陷部，其用以在热接合过程中，防止过多施加在基板上的底胶堆积在热压头上。该凹陷部可具有一高度及一宽度，该高度等于或大于1毫米，且该宽度等于或大于0.5毫米。

本揭露的另一方面关于一种使用热压头的覆晶接合方法。该覆晶接合的方法包括吸取一芯片的一第一表面，其中该芯片的该第一表面具有数个吸取区域，且该些吸取区域彼此间隔；及热压该芯片至一基板上。该吸取方式由真空吸力所达成。所有该些吸取区域的面积小于该芯片的该第一表面的面积的10％。

附图说明

图1至图5显示本发明热压头及利用该热压头的覆晶接合工艺的一实施例的示意图；

图6至图10显示本发明热压头及利用该热压头的覆晶接合工艺的另一实施例的示意图；

图11显示根据本发明热压头的另一实施例的剖视示意图；

图11A显示根据本发明热压头的另一实施例的仰视示意图；

图12显示根据本发明热压头的另一实施例的剖视示意图；

图12A显示根据本发明热压头的另一实施例的仰视示意图；

图13显示根据本发明热压头的另一实施例的剖视示意图；

图13A显示根据本发明热压头的另一实施例的仰视示意图；

图14显示根据本发明热压头的另一实施例的剖视示意图；

图14A显示根据本发明热压头的另一实施例的仰视示意图；

图15显示根据本发明热压头的另一实施例的剖视示意图；

图15A显示根据本发明热压头的另一实施例的仰视示意图；

图16显示根据本发明热压头的另一实施例的剖视示意图；

图16A显示根据本发明热压头的另一实施例的仰视示意图；

图17显示根据本发明热压头的另一实施例的剖视示意图；及

图17A显示根据本发明热压头的另一实施例的仰视示意图。

具体实施方式

参考图1，显示一热压头1。该热压头1包括一主体部11及一接触部12。在本实施例中，该接触部12位于该主体部11上，且该主体部11及该接触部12一体成型。在本实施例中，该热压头1由刚性且可导热的材质(例如不锈钢)所制成。该接触部12包含一接触面121及数个接触面开口122，该些接触面开口122形成于该接触面121内。该接触部12的该接触面121用以接触一芯片。该些接触面开口122彼此间隔。较佳地，该些接触面开口122间的节距(Pitch)大致相等，且该些接触面开口122在该接触面121上大致上均匀分布。该些接触面开口122的宽度相当小。在本实施例中，为了提供均匀真空吸力在该芯片上，以及考虑机械钻孔能力，该些接触面开口122间的节距(Pitch)在约1毫米至0.5毫米的范围中，且该些接触面开口122的宽度小于约0.2毫米。在本实施例中，该些接触面开口122在该接触面121所占的面积小于该接触面121的表面积的10％。

参考图2，显示图1的剖视图。如图所示，该主体部11具有一主体部开口111。在本实施例中，该接触部12更具有一内部124。该些接触面开口122延伸至该内部124，且连通至该主体部开口111。该主体部开口111连通至一真空源(图中未示)，因此，该热压头1可用以经由该些接触面开口122而利用真空吸力以进行芯片吸取工艺。