[发明专利]一种负压调压电路无效
申请号: | 201210386252.3 | 申请日: | 2012-10-12 |
公开(公告)号: | CN103729005A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 乔晓辉;王纪云;王晓娟 | 申请(专利权)人: | 郑州单点科技软件有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 450016 河南省郑州市经*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 调压 电路 | ||
1.一种负压调压电路,其特征在于,该电路包括第一PNP晶体管(P1)、第二PNP晶体管(P2)、第三PNP晶体管(P3)、第四PNP晶体管(P4)、第一NPN晶体管(N1)、第二NPN晶体管(N2)、第三NPN晶体管(N3)、第一电阻(R1)和第二电阻(R2);
所述第一PNP晶体管(P1)的源极连接至地,栅极连接至电压输入端(Vin),漏极连接至第三PNP晶体管(P3)的源极和第四PNP晶体管(P4)的源极;所述第二PNP晶体管(P2)的源极连接至地,栅极连接至电压输入端(Vin),漏极连接至第三NPN晶体管(N3)的漏极和电压输出端(Vout);所述第三PNP晶体管(P3)的栅极连接至负电压源(-VDD),漏极连接至第一NPN晶体管(N1)的漏极和第三NPN晶体管(N3)的栅极;第一NPN晶体管(N1)的源极连接至负电压源(-VDD),栅极连接至第四PNP晶体管(P4)的漏极和第二NPN晶体管(N2)的栅极和漏极;所述第二NPN晶体管(N2)的源极和第三NPN晶体管(N3)均连接至负电压源(-VDD);所述第四PNP晶体管(P4)的栅极分别通过第一电阻(R1)和第二电阻(R2)连接至电压输出端(Vout)和参考电压输出端(Vref)。
2.根据权利要求1所述的负压调压电路,其特征在于,所述第一PNP晶体管(P1)、第二PNP晶体管(P2)、第三PNP晶体管(P3)和第四PNP晶体管(P4)为参数相同的PNP晶体管。
3.根据权利要求1所述的负压调压电路,其特征在于,所述第一NPN晶体管(N1)、第二NPN晶体管(N2)和第三NPN晶体管(N3)为参数相同的NPN晶体管。
4.根据权利要求1所述的负压调压电路,其特征在于,所述第一电阻(R1)和第二电阻(R2)为参数相同的电阻。
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