[发明专利]误差扩散和网格移位的算法有效
申请号: | 201210387380.X | 申请日: | 2012-10-12 |
公开(公告)号: | CN103293870A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 刘沛怡;林世杰;王文娟;许照荣;林本坚 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 误差 扩散 网格 移位 算法 | ||
1.一种在光刻处理中使用的方法,包括:
在图形数据库系统(GDS)网格中提供集成电路(IC)布局设计;
将所述IC布局设计GDS网格转换为子像素曝光网格;
对所述子像素曝光网格应用误差扩散技术;
对接受所述误差扩散之后的所述子像素曝光网格应用网格移位技术,以生成网格移位曝光网格;
在对接受所述误差扩散之后的所述子像素曝光网格应用所述网格移位的同时,将接受所述误差扩散之后的所述子像素曝光网格转换为具有较大像素尺寸的曝光网格;
将所述曝光网格与所述网格移位曝光网格相加,以生成第二曝光网格,其中,所述第二曝光网格使用比所述子像素曝光网格更少的数据量。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述子像素曝光网格由像素的二维阵列形成,并且其中,所述像素尺寸被选择为大于所述IC布局设计GDS网格的所述像素尺寸。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述子像素曝光网格的所述像素尺寸在0.5nm到8.0nm的范围内。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述误差扩散技术包括Floyd-Steinberg误差扩散算法。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述网格移位包括沿着第一方向移位。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述网格移位包括沿着第二方向移位。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述网格移位包括沿着第一方向和第二方向移位。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述移位等于在每个方向上的所述网格移位子像素曝光网格的像素尺寸的一半。
9.一种用于在光刻中提供曝光网格的方法,包括:
在图形数据库系统(GDS)网格中提供集成电路(IC)布局设计;
将所述IC设计布局GDS网格转换为具有0.5nm到8.0nm的像素尺寸的子像素曝光网格,并且使用针对灰度级的k位;
对所述子像素曝光网格应用Floyd-Steinberg误差扩散算法,并且使用针对灰度级的少于k位;
对接受所述误差扩散之后的所述子像素曝光网格应用网格移位,以生成网格移位曝光网格,并且使用针对灰度级的少于k位;
在对接受所述误差扩散之后的所述子像素曝光网格应用所述网格移位的同时,将接受所述误差扩散之后的所述子像素曝光网格转换为具有比所述子像素曝光网格的像素尺寸更大的像素尺寸的曝光网格;以及
结合所述曝光网格与所述网格移位曝光网格,以生成第二曝光网格,其中,所述第二曝光网格使用比所述子像素曝光网格更少的数据量。
10.一种提供用于光刻处理的曝光网格的方法,包括:
在图形数据库系统(GDS)网格中提供具有像素坐标系统的二维阵列中的多个多边形的集成电路(IC)布局设计;
对所述IC布局设计GDS网格应用邻近校正处理;
使用大于所述IC布局设计GDS网格的像素尺寸并且使用针对灰度级的k位将所述IC布局GDS网格转换为具有像素坐标系统的二维阵列中的多个多边形的子像素曝光网格;
对所述子像素曝光网格应用所述Floyd-Steinberg误差扩散,并且使用针对灰度级的少于k位;
对接受所述误差扩散之后的所述子像素曝光网格应用将多个网格移位,以生成网格移位曝光网格,其中,所述网格移位曝光网格使用针对灰度级的(k-1)位;
在对接受所述误差扩散之后的所述子像素曝光网格应用所述网格转移的同时,将接受所述误差扩散之后的所述子像素曝光网格转换为具有为所述子像素曝光网格的像素尺寸的两倍的像素尺寸的曝光网格;以及
将所述曝光网格与所述网格移位曝光网格相加,以生成第二曝光网格,其中,所述第二曝光网格使用比所述子像素曝光网格更少的数据量。
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