[发明专利]误差扩散和网格移位的算法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，更具体地，本发明涉及一种误差扩散和网格移位的算法。

背景技术

半导体工业经历了指数增长。光刻清晰度持续提高以支持90nm到65nm、45nm、32nm、22nm、16nm以及更多的临界尺寸(CD)。已经开发了光刻的新技术，诸如浸没式光刻、多个图案化、超紫外线(EUV)光刻以及电子束光刻。新式光刻技术产生的挑战不仅在于清晰度上，还在于经济上(诸如，更新的成本和吞吐量的损失)。很多开发都集中于改进清晰度，而不明显减小处理吞吐量。然而，当前方法不在所有方面都满足。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种在光刻处理中使用的方法，包括：在图形数据库系统(GDS)网格中提供集成电路(IC)布局设计；将所述IC布局设计GDS网格转换为子像素曝光网格；对所述子像素曝光网格应用误差扩散技术；对所述子像素曝光网格(在接受所述误差扩散之后)应用网格移位技术，以生成网格移位曝光网格；在对所述子像素曝光网格(在接受所述误差扩散之后)应用所述网格移位的同时，将所述子像素曝光网格(在接受所述误差扩散之后)转换为具有较大像素尺寸的曝光网格；将所述曝光网格与所述网格移位曝光网格相加，以生成第二曝光网格，其中，所述第二曝光网格使用比所述子像素曝光网格更少的数据量。

在该方法中，所述子像素曝光网格由像素的二维阵列形成，并且其中，所述像素尺寸被选择为大于所述IC布局设计GDS网格的所述像素尺寸。

在该方法中，所述子像素曝光网格的所述像素尺寸在0.5nm到8.0nm的范围内。

在该方法中，所述误差扩散技术包括Floyd-Steinberg误差扩散算法。

在该方法中，所述网格移位包括沿着第一方向移位。

在该方法中，所述网格移位包括沿着第二方向移位。

在该方法中，所述网格移位包括沿着第一方向和第二方向移位。

在该方法中，所述移位等于在每个方向上的所述网格移位子像素曝光网格的像素尺寸的一半。

在该方法中，对所述子像素曝光网格(在接受所述误差扩散之后)应用多个网格移位。

在该方法中，所述多个网格移位相互独立地移位。

在该方法中，所述曝光网格使用比所述子像素曝光网格更少的针对灰度级的位。

在该方法中，所述网格移位曝光网格使用比所述子像素曝光网格更少的针对灰度级的位。

根据本发明的另一方面，提供了一种用于在光刻中提供曝光网格的方法，包括：在图形数据库系统(GDS)网格中提供集成电路(IC)布局设计；将所述IC设计布局GDS网格转换为具有0.5nm到8.0nm的像素尺寸的子像素曝光网格，并且使用针对灰度级的k位；对所述子像素曝光网格应用Floyd-Steinberg误差扩散算法，并且使用针对灰度级的少于k位；对所述子像素曝光网格(在接受所述误差扩散之后)应用网格移位，以生成网格移位曝光网格，并且使用针对灰度级的少于k位；在对所述子像素曝光网格(在接受所述误差扩散之后)应用所述网格移位的同时，将所述子像素曝光网格(在接受所述误差扩散之后)转换为具有比所述子像素曝光网格的像素尺寸更大的像素尺寸的曝光网格；以及结合所述曝光网格与所述网格移位曝光网格，以生成第二曝光网格，其中，所述第二曝光网格使用比所述子像素曝光网格更少的数据量。

在该方法中，所述子像素曝光网格(在接受所述误差扩散之后)使用针对灰度级的(k-1)位。

在该方法中，所述网格移位曝光网格使用针对灰度级的(k-1)位。

在该方法中，所述网格移位曝光网格的像素尺寸是所述子像素曝光网格的像素尺寸的两倍。

在该方法中，所述曝光网格的像素尺寸是所述子像素曝光网格的像素尺寸的两倍。

在该方法中，所述第二曝光网格的像素尺寸大于所述子像素曝光网格的像素尺寸。

在该方法中，进一步包括：沿着不同方向对所述子像素曝光网格(在接受所述误差扩散之后)执行多个网格移位。