[发明专利]半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供半导体衬底，在该半导体衬底上形成虚设栅极，所述虚设栅极包括从下至上依次形成的阻挡层和牺牲层；

全面性沉积侧墙材料层；

各向异性地回刻蚀所述侧墙材料层，仅保留位于所述虚设栅极侧面上的所述侧墙材料层，从而形成侧墙；

全面性沉积中间介质层，所述中间介质层完全覆盖所述虚设栅极和所述侧墙；

进行CMP工艺，以所述阻挡层的上表面为CMP工艺的终止点，去除所述阻挡层的上表面之上的所述中间介质层、所述牺牲层和所述侧墙，剩余的所述侧墙形成侧墙掩模；

去除所述侧墙掩模，在所述半导体衬底上仅留存剩余的所述中间介质层和所述阻挡层，从而使所述侧墙掩模被去除之前所在的区域形成沟槽。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述沟槽之后，以剩余的所述中间介质层和所述阻挡层为掩模，对所述半导体衬底进行刻蚀，形成所需要的结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为SiO₂，所述牺牲层的材料为多晶硅或非晶硅或光刻胶；所述侧墙的材料为Si₃N₄。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧墙的宽度小于特征尺寸。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述CMP工艺包括两个阶段：第一阶段，对所述中间介质层进行CMP处理，至所述牺牲层的上表面为止；第二阶段，对所述牺牲层和所述侧墙的上部分进行CMP处理，至所述阻挡层的上表面为止。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽的尺寸小于特征尺寸。