[发明专利]高抗腐蚀性Re-(Fe, TM)-B磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种高抗腐蚀性Re-(Fe,TM)-B磁体制备方法包括如下工艺步骤：

1）将Re-(Fe,TM)-B体系磁体材料熔炼后进行粗破碎，然后进一步进行中碎，得到平均粒径0.5mm的粉末材料，其中Re选自Pr-Nd、Nd、Dy、Tb、Gd、Ho或其混合，TM选自Al、Nb、Cu、Ga、Co、Zr或其混合；

2）将步骤1所得粉末材料经气流磨进一步研磨至粉末材料平均粒径小5μm；

3）将步骤2所得粉末材料经磁场成型、真空烧结、时效处理后，得到所需产品；

其中，步骤1和步骤2所得粉末材料，在进行下一步处理前，进行混料处理，使粉末材料混合均匀；

其中，在进行中碎、气流磨研磨、及混料处理中一个或多个操作时，向粉末材料中添加平均粒度小于80μm的金属或金属氧化物。

2.如权利要求1所述的方法，其中所添加的金属选自Cu、Co、Nb、Al粉、Ga或其混合物，其中所述金属氧化物选自Dy₂O₃、Tb₄O₇或其混合物，添加后搅拌均匀。

3.如权利要求2所述的方法，其中所添加的是金属单质。

4.如权利要求1所述的方法，其中所添加的金属或金属氧化物在被添加之前在密闭容器中进行充惰性气体排氧处理。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述排氧过程要进行5分钟以上。

6.如权利要求1所述的方法，其中所添加金属或金属氧化物时，以粉末材料的质量百分比计，添加量<2%。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所添加金属或金属氧化物的添加量使得最终产物中质量比为Re：（Fe，TM）:B=2:14:1，其中Re代表稀土元素，TM代表所Al、Nb、Cu、Ga、Co、Zr非稀土金属，B代表硼。

8.一种Re-(Fe,TM)-B磁体，其由权利要求1-7中任一所述的方法制得。