[发明专利]高抗腐蚀性Re-(Fe, TM)-B磁体及其制备方法有效
申请号: | 201210393641.9 | 申请日: | 2012-10-17 |
公开(公告)号: | CN103779061A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 孙绪新;孙斌 | 申请(专利权)人: | 中磁科技股份有限公司 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F7/02;H01F1/057 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 李春晅;彭晓玲 |
地址: | 044200 *** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 腐蚀性 re fe tm 磁体 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于稀土永磁材料领域。主要涉及Re-(Fe,TM)-B烧结磁体的制备方法。
背景技术
随着稀土永磁材料应用领域的不断扩大,客户对稀土永磁产品的要求也在不断的提高。诸如风力发电机、汽车电机、电梯电机、压缩机电机、核磁共振、音圈电机、仪器仪表、传感器等应用领域,均对Re-(Fe,TM)-B磁体的抗腐蚀性提出了很高的要求。
一般地,通常用无镀层磁体在高温、高压、高湿环境条件下长时间连续放置,单位表面积上所产生的重量损失定量地反映磁体的抗腐蚀性。
目前,提高Re-(Fe,TM)-B磁体的抗腐蚀性,主要有两种方法,一种是通过表面处理(如电镀、电泳、涂层)技术来提高磁体外表的抗腐蚀性,但现有表面处理技术往往有成本高、污染环境大、影响磁体磁性能的缺点。另一种是提高Re-(Fe,TM)-B磁体本身本征抗腐蚀性。例如,中国发明专利申请“一种高耐腐蚀Re-(Fe,TM)-B系磁体及其制备方法”(CN200910116871.9)提供了一种在烧结前为磁体加工保护层的方法,具体做法是在烧结前,将圆柱体放置在合金熔液中进行高温烧结,使合金原子在圆柱体表面形成厚度为≧2μm的防护层,并有部分原子渗透进入磁体内部,这种方法固然可以提高磁体的抗腐蚀性,但由于此方法有两次烧结的过程,比常规的方法多了一次烧结过程,将提高烧结工段的成本;且只能通过单质金属元素来提高抗腐蚀性,提高了原材料成本单质金属的价格高于金属氧化物的价格。由于烧结Re-Fe-B磁体的腐蚀行为表现为晶界相优先腐蚀,因此,可通过改善晶界相的抗腐蚀性来提高磁体的抗腐蚀性。在现有技术中,通常是熔炼阶段中添加一种或多种微量合金化元素,以期在磁体金相结构中,形成一种或多种具有较好抗腐蚀性能的晶界相合金,可改善和提高晶界相的抗腐蚀性,从而磁体的抗腐蚀性得到提高。但这种工艺方法的缺点是部分微量合金化元素直接进入主相Nd2Fe14B晶粒内部,降低了磁体的磁性能,同时也降低了微量合金化元素改善磁体抗腐蚀性的效果。
发明内容
本发明旨在解决现有技术所存在的问题,提供一种制备成本低廉且抗腐蚀性能的Re-(Fe,TM)-B磁体及其制备方法。
本发明所提供的制备方法包括如下工艺步骤:
1)将Re-(Fe,TM)-B体系磁体材料熔炼后进行粗破碎,然后进一步进行中碎,得到平均粒径0.5mm的粉末材料,其中Re选自Pr-Nd、Nd、Dy、Tb、Gd、Ho或其混合,TM选自Al、Nb、Cu、Ga、Co、Zr或其混合;
2)将步骤1所得粉末材料经气流磨进一步研磨至粉末材料平均粒径小5μm;
3)将步骤2所得粉末材料经磁场成型、真空烧结、时效处理后,得到所需产品;
其中,步骤1和步骤2的粉碎或研磨所得粉末材料,在进行下一步处理前,进行混料处理,使粉末材料混合均匀;
其中,在进行中碎、气流磨研磨、及混料处理操作中一个或多个操作时,向粉末材料中添加平均粒度小于80μm(约为200目)的金属(如Cu粉、Co粉、Nb粉、Al粉、液态Ga,或其混合物)或金属氧化物(Dy2O3、Tb4O7,或其混合物),添加后搅拌均匀。其中,优选添加单质金属。
其中添加金属或金属氧化物时,其在被添加前需在密闭容器中进行充氮排氧,排氧过程一般要进行5-20分钟,具体时间按照添加量的多少进行决定,添加物越少,排氧时间越短;排氧结束后将被添加物添加入粉料中进行均匀混料,其中基于粉料的重量和原成份中稀土的含量,添加物的添加量<2%(粉末材料总质量),并且使得质量比Re:(Fe,TM):B=2:14:1的比例进行添加,Re代表稀土,TM代表Al、Nb、Cu、Ga、Co、Zr等非稀土金属,B代表硼。
本发明还提供由此方法所制备的Re-(Fe,TM)-B磁体。
本发明人惊讶地发现,由此方法所制备的Re-(Fe,TM)-B磁体的抗腐蚀性的增强,主要是由于添加的粉末在磁粉颗粒表面均匀分布,在真空烧结时,微量合金化元素只和磁粉颗粒或主相晶粒Nd2Fe14B表层发生扩散,形成一种或多种具有良好抗腐蚀性的晶界相合金,从而提高了磁体的抗腐蚀性,同时又避免了微量合金化元素进入磁性晶粒内部损害磁体磁性能。
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