[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管显示器，包括：

衬底；

绝缘层，位于所述衬底上，并且具有凹部；

第一电极，位于所述绝缘层上；

像素限定层，位于所述绝缘层上，并且配置为将所述第一电极限定成像素；

有机发光层，位于被所述像素限定的第一电极上；以及

第二电极，位于所述有机发光层上，

其中，

所述凹部中的每个凹部包括底面和倾斜部，

所述第一电极中的每个第一电极位于所述凹部之一的所述底面和所述倾斜部上，

在所述像素限定层的表面的一部分上存在压纹，

位于所述像素限定层和所述第二电极之间的第一边界表面与位于所述绝缘层和所述像素限定层之间的第二边界表面相面对，以及

在所述第一边界表面与所述第二边界表面彼此重叠的区域，所述第一边界表面具有圆弧形状。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，还包括位于所述衬底上并且电连接到所述第一电极中之一的半导体器件。

3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述半导体器件是薄膜晶体管。

4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一电极的侧面部分位于所述凹部的所述倾斜部上。

5.如权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一电极的所述侧面部分具有与所述凹部的所述倾斜部相同的倾斜角。

6.如权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一电极的所述侧面部分被所述像素限定层覆盖。

7.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述像素限定层覆盖所述凹部的所述倾斜部。

8.如权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中所述像素限定层的所述表面的所述一部分对应于所述凹部的所述倾斜部。

9.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述有机发光层位于与所述第一电极相邻的所述像素限定层的侧面部分上。

10.如权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其中所述像素限定层的所述表面的所述一部分对应于所述像素限定层的所述侧面部分。

11.如权利要求10所述的有机发光二极管显示器，其中在所述像素限定层的所述侧面部分上的所述有机发光层具有与所述像素限定层相同的压纹。

12.如权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中所述第二电极具有与所述有机发光层相同的压纹。

13.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述绝缘层还包括具有平坦表面的第一绝缘层以及具有所述倾斜部的第二绝缘层。

14.如权利要求13所述的有机发光二极管显示器，其中所述凹部由所述第一绝缘层和所述第二绝缘层形成，所述第一绝缘层提供所述凹部的底面。

15.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述像素限定层上的所述压纹通过选自由摩擦工序、喷砂工序以及掩模工序组成的组的方法形成。

16.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述压纹之间的间隔在10nm到1000nm之间。

17.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述压纹的高度在1nm到100nm之间。

18.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，还包括在所述第一电极与所述有机发光层之间的第一辅助发光层。

19.如权利要求18所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一辅助发光层包括空穴注入层或者空穴传输层中的至少一个。

20.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，还包括在所述有机发光层与所述第二电极之间的第二辅助发光层。

21.如权利要求20所述的有机发光二极管显示器，其中所述第二辅助发光层包括电子注入层或者电子传输层中的至少一个。