[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2012年1月19日在韩国知识产权局提交的第10-2012-0006169号韩国专利申请的优先权和权益，该申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明的实施方式涉及有机发光二极管（OLED）显示器和制造该OLED显示器的方法，更具体的，涉及具有改进的光效率的OLED显示器以及制造该OLED显示器的方法。

背景技术

OLED显示器是通过OLED发射光以显示图像的自发光显示装置。与液晶显示器不同，OLED显示器不需要单独的光源，因此能够减少其相对厚度和重量。另外，OLED显示器具有高品质特性，例如低功耗、高亮度以及快速反应速度，因而其作为用于便携式电子装置的下一代显示装置而备受瞩目。

OLED是当电子和空穴复合以及耗散（dissipate）时产生光并发射光的二极管。OLED包括用于注入空穴的电极、用于注入电子的电极以及发光层。OLED具有层压结构，其中发光层被插置于阳极（为用于注入空穴的电极）与阴极（为用于注入电子的电极）之间。

具体地，被注入阴极的电子和被注入阳极的空穴通过外部电场朝向彼此移动，然后在发光层中复合，以便其耗散而发射光。OLED的发光层由单分子有机材料或者聚合物形成。

发明内容

本发明的实施方式提供了一种有机发光二极管（OLED）显示器以及制造该OLED显示器的方法，该OLED显示器通过在像素限定层（PDL）上形成压纹来抑制有机发光层与电极之间的全反射（全内反射），从而提高可见性以及光效率。

根据本发明的示例性实施方式，提供了一种有机发光二极管（OLED）显示器。该OLED显示器包括：衬底；位于所述衬底上并且具有凹部的绝缘层；位于所述绝缘层上的第一电极；位于所述绝缘层上，并且配置为将所述第一电极限定成像素的像素限定层（PDL）；位于被所述像素限定的第一电极上的有机发光层；以及位于所述有机发光层上的第二电极。凹部中的每个凹部包括底面和倾斜部。第一电极中的每个第一电极位于所述凹部之一的所述底面和所述倾斜部上。在所述像素限定层的表面的一部分上存在压纹。

所述OLED显示器还可包括，位于所述衬底上并且电连接到所述第一电极中之一的半导体器件。

所述半导体器件可以是薄膜晶体管（TFT）。

所述第一电极的侧面部分可以位于所述凹部的所述倾斜部上。

所述第一电极的所述侧面部分可具有与所述凹部的所述倾斜部相同的倾斜角。

所述第一电极的所述侧面部分可以被所述像素限定层覆盖。

所述像素限定层可覆盖所述凹部的所述倾斜部。

所述像素限定层的所述表面的所述一部分可对应于所述凹部的所述倾斜部。

所述有机发光层可位于与所述第一电极相邻的所述像素限定层的侧面部分上。

所述像素限定层的所述表面的所述一部分可对应于所述像素限定层的所述侧面部分。

在所述像素限定层的所述侧面部分上的所述有机发光层可具有与所述像素限定层相同的压纹。

所述第二电极可具有与所述有机发光层相同的压纹。

所述绝缘层还可包括具有平坦表面的第一绝缘层以及具有所述倾斜部的第二绝缘层。

所述凹部可以由所述第一绝缘层和所述第二绝缘层形成，所述第一绝缘层提供所述凹部的底面。

所述像素限定层上的所述压纹可以通过选自由摩擦工序、喷砂工序以及掩模工序组成的组的方法形成。

所述压纹之间的间隔可以在10nm到1000nm之间。根据一个实施方案，所述间隔可以在380nm到780nm之间，对应于可见光的波长。

所述压纹的高度可以在1nm到100nm之间。

所述OLED显示器还可包括，在所述第一电极与所述有机发光层之间的第一辅助发光层。

所述第一辅助发光层可包括空穴注入层或者空穴传输层中的至少一个。

所述OLED显示器还可包括，在所述有机发光层与所述第二电极之间的第二辅助发光层。

所述第二辅助发光层可包括电子注入层或者电子传输层中的至少一个。