[发明专利]高集成半导体存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

半导体衬底；

有源区，所述有源区包括多个单位有源区，并被设置在所述半导体衬底之上以及与所述半导体衬底间隔开；

字线对，所述字线对被形成在所述单位有源区的顶表面和侧面上；

虚设字线，所述虚设字线被设置在所述单位有源区的接触处，并形成在所述单位有源区的顶表面和侧面上；

源极区域，所述源极区域被形成在所述字线对之间的单位有源区中，并与所述半导体衬底电连接；

漏极区域，所述漏极区域被形成在所述字线对与所述虚设字线之间的单位有源区中；

第一储存层，所述第一储存层被形成在所述漏极区域上并与所述漏极区域电连接；以及

被插入在所述半导体衬底与所述有源区之间的绝缘层，其中，所述源极区域被形成为穿透所述绝缘层。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

作为所述字线对和所述虚设字线的多个字线；以及

作为所述有源区的多个有源区，

其中，所述多个字线在所述多个有源区的顶表面和侧面的周围与所述多个有源区交叉。

3.如权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

栅绝缘层，所述栅绝缘层被插入在所述有源区的表面和所述字线对之间，并插入在所述有源区的表面与所述虚设字线之间。

4.如权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

下电极，所述下电极被分别形成在所述源极区域和所述漏极区域上，并分别与所述源极区域和所述漏极区域电连接。

5.如权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述第一储存层与所述下电极电连接。

6.如权利要求4所述的半导体存储器件，其中，还包括：

在被设置在所述源极区域上的下电极上的间隔件绝缘层；以及

第二储存层，所述第二储存层被形成所述间隔件绝缘层上，

其中，在所述源极区域之上的所述第二储存层与所述源极区域电绝缘。

7.如权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述源极区域之上的所述第一储存层和在所述漏极区域之上的所述第二储存层被分别设置在所述字线对之间的空间和所述字线对与所述虚设字线之间的空间中。

8.如权利要求7所述的半导体存储器件，还包括：

位线，所述位线被形成在所述第一储存层和所述第二储存层上，以与所述有源区重叠。

9.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述源极区域还包括从所述单位有源区延伸到所述半导体衬底的桩结构。

10.一种半导体存储器件，包括：

半导体衬底；

多个有源区，所述多个有源区以线形图案结构形成在所述半导体衬底上；

多个字线，所述多个字线与所述多个有源区交叉，并包围所述多个有源区；

源极区域和漏极区域，所述源极区域和所述漏极区域被形成在所述多个字线之间的所述多个有源区中；

储存层，所述储存层被形成在所述源极区域和所述漏极区域上；以及

被插入在所述半导体衬底与所述多个有源区之间的绝缘层，其中，每个所述源极区域被形成为穿透所述绝缘层，

其中，所述源极区域中的每个形成在从所述有源区延伸到所述半导体衬底的桩结构中。

11.如权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述多个字线被布置成以恒定的间距间隔开，并在所述有源区中的每个的顶表面和侧面的周围延伸。

12.如权利要求10所述的半导体存储器件，还包括：

栅绝缘层，所述栅绝缘层被插入在所述有源区的表面与所述字线之间。

13.如权利要求10所述的半导体存储器件，还包括：

下电极，所述下电极被形成在所述源极区域与在所述源极区域之上的储存层之间，并形成在所述漏极区域与在所述漏极区域之上的存储层之间。

14.如权利要求13所述的半导体存储器件，其中，在所述漏极区域上的下电极与在所述漏极区域之上的储存层电连接，且在所述源极区域上的下电极与在所述源极区域之上的储存层电绝缘。