[发明专利]晶粒拾取控制方法、应用该方法的晶粒拾取装置及包括该装置的黏晶机

权利要求书

1.一种晶粒拾取方法，用于自附着于一黏着胶带的一晶片分离出一半导体晶粒，该方法包含：

下降一传送单元以使一与该传送单元连接的拾取单元的一筒夹的底部自一等待针水平下降至一低速接近水平，且当该筒夹抵达该低速接近水平时，减少一下降速度；

提升一顶出器，以将一与该顶出器连接的顶出针从该等待针水平提升至一第一升针水平直到该顶出针与一黏着胶带接触；

当该传送单元向下移动而使该筒夹的底部抵达一芯片接触水平且接触该晶粒的顶部时，暂停该传送单元及该顶出器的垂直移动一接触延迟时间；

暂停该传送单元的垂直移动一拾取延迟时间，并提升该顶出器以将该顶出针提升至一第二升针水平以及推起该晶粒；

暂停该顶出器的垂直移动一降针延迟时间，并提升该传送单元以提升吸附该晶粒的筒夹；以及

下降该顶出器以下降该顶出针。

2.如权利要求1所述的方法，其中，于提升一顶出器的步骤中，控制一线性移动导件的一冲击吸收力自一高度力水平降低至一中度力水平，该线性移动导件与该传送单元联合进行垂直移动并转移该冲击吸收力至该拾取单元，并且，于提升一顶出器的步骤以及暂停该传送单元及该顶出器的步骤之间，控制该线性移动导件的该冲击吸收力再从该中度力水平降低至一拾取度力水平。

3.如权利要求2所述的方法，其中，具有该高度力水平的该冲击吸收力的范围为195克力至205克力，具有该中度力水平的该冲击吸收力的范围为115克力至125克力，以及具有该拾取度力水平的该冲击吸收力的范围为25克力至35克力。

4.如权利要求1所述的方法，其中，于暂停该顶出器一降针延迟时间的步骤以及下降该顶出器的步骤之间，控制一线性移动导件的一冲击吸收力自一拾取度力水平增加至一中度力水平，该线性移动导件与该传送单元联合进行垂直移动且转移该冲击吸收力至该拾取单元，并且，于下降该顶出器的步骤中，控制该线性移动导件的该冲击吸收力再从该中度力水平增加至一高度力水平。

5.如权利要求4所述的方法，其中，具有该拾取度力的该冲击吸收力的范围为25克力至35克力，具有该中度力水平的该冲击吸收力的范围为115克力至125克力，以及具有该高度力水平的该冲击吸收力的范围为195克力至205克力。

6.如权利要求1所述的方法，其中，于暂停该传送单元及暂停该该顶出器一接触延迟时间的步骤中，该接触延迟时间执行8毫秒至12毫秒。

7.如权利要求1所述的方法，其中，于暂停该传送单元一拾取延迟时间的步骤中，该拾取延迟时间执行18毫秒至22毫秒。

8.如权利要求1所述的方法，其中，于暂停该顶出器一降针延迟时间的步骤中，该降针延迟时间执行8毫秒至12毫秒。

9.一种晶粒拾取装置，其由权利要求1-8中任一顶所述的晶粒拾取方法驱动，该晶粒拾取装置包含：

一拾取单元，其通过一筒夹真空吸附且传送一半导体晶粒；

一传送单元，其使该拾取单元向上或向下移动；

一线性移动导件，经设置以与该传送单元联合移动，并且提供该拾取单元的向上或向下移动一冲击吸收力；以及

一顶出座，用于供一以黏着胶带固定的半导体晶粒放置，该顶出座通过一设置于其中的顶出针提升该半导体晶粒。

10.一种黏晶机，其包含权利要求9所述的拾取装置。